陕西省教育科学规划课题(SGH12433)
- 作品数：7 被引量：2H指数：2
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- 氮气对碳纳米管生长的影响被引量：2
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.并利用扫描电镜对其进行表征.结果表明,氮气流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,当氮气流量为10sccm时,能获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管.
- 席彩萍
- 关键词：碳纳米管PECVD氮气
- 催化剂刻蚀方式对碳纳米管形貌的影响
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明,催化剂刻蚀方式对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得定向性好、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最合适的刻蚀方式为热刻蚀.
- 席彩萍
- 关键词：碳纳米管拉曼光谱
- 刻蚀时间对碳纳米管形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜。利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪对其进行表征,研究刻蚀时间对碳纳米管形貌的影响。结果表明:催化剂刻蚀时间对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,刻蚀时间为10 min时可获得定向性好、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管。
- 席彩萍
- 关键词：碳纳米管
- PECVD技术制备碳纳米管的研究
- 2013年
- 碳纳米管的制备方法有电弧法、激光蒸发法、化学气相沉积法(CVD法)、火焰法、水热法和模板法等。主要介绍了等离子体化学气相沉积法制备碳纳米管,并对此方法制备的碳纳米管形貌进行了表征,最终优化出最佳的实验工艺。
- 席彩萍
- 关键词：碳纳米管PECVD催化剂
- 氢气流量对碳纳米管生长的影响
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜。利用扫描电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明:氢气流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳氢气流量为30 sccm。
- 席彩萍
- 关键词：碳纳米管PECVD
- 碳源流量对PECVD制备碳纳米管形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备碳纳米管薄膜。利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明,碳源气体流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳碳源流量为30 sccm。
- 席彩萍
- 关键词：碳纳米管
