国家高技术研究发展计划(2008AA031403) 作品数:5 被引量:16 H指数:2 相关作者: 刘明 龙世兵 王琴 王永 杨潇楠 更多>> 相关机构: 中国科学院微电子研究所 安徽大学 兰州大学 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家高技术研究发展计划 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 自动化与计算机技术 电子电信 理学 机械工程 更多>>
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性 2011年 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。 杨潇楠 王永 张满红 张博 刘明关键词:硅纳米晶 耐受性 数据保持 二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用 被引量:1 2010年 从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好. 严敏逸 王旦清 马忠元 姚尧 刘广元 李伟 黄信凡 陈坤基 徐骏 徐岭关键词:纳米硅 菲涅耳衍射 基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量:11 2009年 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 李颖弢 刘明 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃关键词:非挥发性存储器 I-V特性 电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 被引量:2 2009年 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 李德君 刘明 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花关键词:高K材料 A low-voltage sense amplifier for high-performance embedded flash memory 被引量:2 2010年 This paper presents a sense amplifier scheme for low-voltage embedded flash(eFlash) memory applications. The topology of the sense amplifier is based on current mode comparison.Moreover,an offset-voltage elimination technique is employed to improve the sensing performance under a small memory cell current.The proposed sense amplifier is designed based on a GSMC 130 nm eFlash process,and the sense time is 0.43 ns at 1.5 V,corresponding to a 46%improvement over the conventional technologies. 柳江 王雪强 王琴 伍冬 张志刚 潘立阳 刘明关键词:放大器设计 嵌入式闪存 感应性能 体高 快闪