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具有超疏水表面的硅/二氧化硅层次结构薄膜被引量：2: 2011年; 目前报道的硅基材料的超疏水表面主要是通过制备粗糙微观结构, 并在其表面修饰表面能相对较低的有机物两个步骤来实现的, 在户外等实际环境中应用时存在由于表面修饰有机物的降解而逐渐失去超疏水性的问题. 本工作以液态金属锡作为生长衬底, 通过化学气相沉积(CVD)法制备了一种具有超疏水性能的硅基薄膜结构. 利用扫描电镜(SEM), 透射电镜(TEM)以及X射线衍射(XRD)等手段对产物的表面形貌和组成结构进行分析发现, 薄膜表面由竖直生长的硅/二氧化硅(Si/SiO2)核壳层次结构组成. 采用Cassie理论模型对其超疏水性能的产生提出了可能的解释. 发现构成薄膜表面的Si/SiO2层次结构单元的形貌是影响超疏水性能的重要因素. 相对于以前报道的硅基材料的超疏水表面, 这种新结构的超疏水性能不依赖于表面化学修饰, 有望拓宽硅基材料的应用环境.; 王建涛张晓宏王辉欧雪梅; 关键词：超疏水核壳结构硅纳米线化学气相沉积

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国家自然科学基金(50972150)