国家重点基础研究发展计划(TG2000067104)
- 作品数：5 被引量：28H指数：3
- 相关作者：杜安王绍青田丽珍乔永红王坚更多>>
- 相关机构：东北大学中国科学院金属研究所辽阳职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究被引量：12
- 2005年
- 采用分子动力学方法模拟研究了硅晶体中的空位和间隙原子的结合过程.研究中采用了Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用,系统分别在低温300K和高温1400K进行弛豫.计算中发现空位和间隙原子倾向于通过<111>方向结合,而<110>方向上存在着势垒.通过势垒值的计算,对Tang和Zawadzki势垒计算值的差异进行了解释.
- 乔永红王绍青
- 关键词：分子动力学分子动力学方法硅晶体动力学研究点缺陷计算值
- 横向Ising模型性质的理论计算
- 2005年
- 利用Bethe Peierls近似,研究了配位数为6(简立方)和 4(平面正方)晶格上的横向自旋 1/2的 Ising模型的磁学性质.在不同横向场参数下,计算了两个系统的自由能、横向和纵向磁化强度、内能和磁比热等物理量,发现横向磁场对系统的物理量有明显影响,并对系统自发磁化有抑制作用.
- 田丽珍杜安
- 关键词：自旋结构磁化强度转变温度铁电体计算方法
- 自旋1/2铁电膜表面和平均磁化强度的理论计算
- 2005年
- 利用在层内采用Bethe Peierls近似、层间采用平均场近似的方法,计算了6个原子层和20个原子层构成的自旋1/2铁电膜的磁化强度·发现在不同的表面耦合强度下,薄膜的表面磁化和平均磁化有明显的不同,表面耦合强度小,表面磁化弱于整体磁化,否则表面磁化强于整体磁化,但薄膜的表面和整体具有相同的转变温度·对于较厚的薄膜,系统的整体磁化受表面耦合强度影响小,但在转变温度附近,强的表面耦合强度会带动薄膜的整体磁化·横向场抑制薄膜的自发磁化·
- 田丽珍杜安
- 关键词：自旋平均场近似磁化强度转变温度
- 磁性单层膜磁学性质的Monte Carlo模拟被引量：8
- 2006年
- 采用类Ising模型,利用Monte Carlo方法研究了磁性单层膜中退磁性偶极作用和铁磁性交换作用对系统磁学性质的影响.结果显示,随着偶极相互作用的增加,系统在低温下的磁化出现平台现象,此时磁化曲线可分为2个阶段,在低外场下,温度升高,系统易磁化,在高外场下则反之.这种新奇的磁化行为导致系统的磁熵变在低温低外场下出现大于零的反常行为.在模拟过程中,对长程力作用采用了比较精确的处理方法.
- 杜海峰杜安胡勇
- 关键词：磁性薄膜CARLO方法磁熵变偶极相互作用
- 硅团簇熔化行为的紧束缚分子动力学研究被引量：9
- 2003年
- 利用紧束缚分子动力学方法研究了硅团簇Sin(n =5— 10 )的熔化行为 .给出了团簇熔化潜热和熔点随团簇尺寸的变化关系 ,表明团簇熔化潜热和熔点强烈依赖于团簇的原子数 .计算结果表明硅团簇熔化机理与金属团簇熔化有很大不同 ,金属小团簇的熔化是一个从低温类固态向高温类固态转变的过程 ,在转变温区 ,类固态和类液态处于动力学共存 ,而硅团簇在转变温区则是处于一种中间态 ,这种中间态既不是类固态又不是类液态 .比较了用不同计算方法和定义方法所得硅团簇熔点 .
- 王坚王绍青
- 关键词：硅团簇熔点
- 半导体材料的平面波赝势方法计算设计
- 采用平面波赝势方法和扰动近似计算对所有可能的具有闪锌矿和纤锌矿结构的二元Ⅲ-Ⅴ与Ⅳ族半导体材料的原子结构、力学、电子与声子振动性质进行了系统研究。计算结果与已知材料的有关实验结果高精度符合,并对潜在新材料的性质进行了预测...
- 王绍青叶恒强
- 关键词：半导体声子色散
- 文献传递
