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铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力被引量：3: 2010年; 在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体。利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1。利用WFZ-26A型紫外-可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时,随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移。采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级。探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理。; 徐朝鹏孙燕王利栓管秀平刘强张晓玲毕卫红; 关键词：光谱特性

铈铁掺杂铌酸锂晶体光折变性能的研究被引量：3: 2015年; 对铈铁掺杂铌酸锂(Ce:Fe:Li Nb O_3)晶体进行氧化、还原处理。通过红外光谱、紫外可见吸收光谱测试了晶体样品的组成和缺陷结构。采用透射光斑畸变法测试了晶体样品的抗光损伤能力,结果表明:生长态晶体比还原态晶体的抗光致散射能力基本上高一个数量级,氧化态的晶体要比还原态的晶体高两个数量级。采用二波耦合实验测试了晶体样品的光折变性能,结果表明:从氧化到生长再到还原态,衍射效率逐渐降低,响应时间缩短,光折变灵敏度增加,动态范围逐渐降低。; 张欣徐朝鹏卢海涛佟建强高洁王晓军; 关键词：光折变性能

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秦皇岛市科学技术研究与发展计划课题(201001A058)