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全球变化研究国家重大科学研究计划(2006CB932607)

作品数:2 被引量:18H指数:2
相关作者:文东辉张克华洪滔鲁聪达梅广益更多>>
相关机构:浙江工业大学浙江师范大学更多>>
发文基金:全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 1篇学成
  • 1篇双面研磨
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光效果
  • 1篇抛光液
  • 1篇晶体
  • 1篇均匀性
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石晶体
  • 1篇化学成分
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇

机构

  • 2篇浙江工业大学
  • 1篇浙江师范大学

作者

  • 2篇张克华
  • 2篇文东辉
  • 1篇梅广益
  • 1篇鲁聪达
  • 1篇洪滔

传媒

  • 1篇光学精密工程
  • 1篇机械制造

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
抛光液化学成分对钨化学机械抛光效果的影响研究被引量:2
2010年
化学机械抛光工艺(CMP)能够更好地满足光刻对平坦度的要求,因而被广泛应用于半导体制造工艺中。化学机械抛光液的不同成分将会直接影响到钨的抛光效果,从而影响到超大规模集成电路(ULSI)制备的成品率和可靠性。通过调配不同的氧化剂、蚀刻剂和配位剂组成的抛光液,进行抛光加工实验。当氧化剂和蚀刻剂含量比较低时,随着氧化剂和蚀刻剂的含量增加,抛光效果近似线性的提高,达到一定值以后,随着氧化剂的继续增加,抛光效果反而下降。当氧化剂H2O 2的含量为4%、Fe(N O 3)3浓度为0.05%时抛光效果最佳。使用浓度为20%的2μm的Al2O 3磨粒,抛光最后表面粗糙度Ra能达到0.198 nm。
梅广益张克华文东辉
关键词:化学机械抛光抛光效果化学成分
蓝宝石晶体的双面研磨加工被引量:16
2009年
为了实现对蓝宝石晶体的高效低损伤研磨加工,对蓝宝石晶体的双面研磨加工表面粗糙度、研磨均匀性和亚表面损伤层的深度进行实验研究。采用280#碳化硼磨粒双面研磨(0001)面蓝宝石晶体,考察了研磨时间对材料去除速率、表面粗糙度的作用规律,根据蓝宝石晶体切割表面状态确定了双面研磨的加工余量;通过WYKO粗糙度仪从微观上分析了蓝宝石晶体表面的研磨均匀性;最后,应用纳米压入测试分析了亚表面损伤层的深度。实验结果表明:蓝宝石晶体经过120 min的双面研磨加工后可以获得Ra为0.523μm,Rt<6.0μm的表面;其深度损伤层约为460 nm,亚表面损伤层<1μm。
文东辉洪滔张克华鲁聪达
关键词:蓝宝石晶体双面研磨均匀性
共1页<1>
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