清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金
- 作品数：12 被引量：75H指数：5
- 相关作者：罗绍华唐子龙孟黎清张中太李英更多>>
- 相关机构：清华大学山西大学东北大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金香港王宽诚教育基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>
- 一种新型湿化学方法合成Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3纳米粉末的研究被引量：6
- 2002年
- 介绍了一种工艺简便且成本较低的Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（ＢＭＴ）纳米粉末的湿化学制 备方法．实验过程以Ｔａ２Ｏ５作为起始物，通过热碱反应与钽离子浓度控制法合成Ｔａ２Ｏ５·ｎＨ２Ｏ 胶体，然后与Ｂａ、Ｍｇ醋酸盐按化学计量比混合，经热处理制得ＢＭＴ纳米粉末．实验结果表 明该方法制备ＢＭＴ粉体所需的合成温度仅为８００℃；比传统固相反应法合成温度降低４００℃ 左右，平均粒径仅为７０ｎｍ此外所制得的纳米陶瓷材料具有较佳的低温烧结性能和微波介电 特性，比目前报道的醇盐系湿化学制备技术更具有实用性．
- 连芳徐利华王福明李文超
- 关键词：纳米粉湿化学法BMT
- LiFePO_4/CNT复合正极材料的性能被引量：5
- 2009年
- 以柠檬酸为碳源和螯合剂,通过溶胶-凝胶法制备了LiFePO4/碳纳米管(CNT)复合正极材料。XRD和SEM分析表明,材料含有单一的LiFePO4相;CNT将颗粒连接起来,提供了附加的导电通路。以0.2C、1.0C和2.0C充放电,向0.03 mol LiFePO4中加入0.05 g CNT的LiFePO4/CNT材料的比容量分别为135 mAh/g、110 mAh/g和80 mAh/g。
- 罗绍华田勇唐子龙惠乐
- 关键词：溶胶-凝胶法正极材料
- Ce掺杂的TiO_2电容-压敏材料结构和电性能研究被引量：8
- 2003年
- 通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数(εr=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。
- 孟黎清李红耘熊西周罗绍华
- 关键词：二氧化钛压敏电阻器电容二氧化铈
- 铌掺杂对Ce-Nb-TiO_2系压敏陶瓷结构与电性能的影响被引量：1
- 2006年
- 研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2(Si2O7)O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。
- 姬颖敏唐子龙苏利红李红耘罗绍华
- Cu2O薄膜的电化学沉积和生长机理研究被引量：3
- 2013年
- 采用酸性醋酸铜体系,在透明导电玻璃(ITO)上恒电位沉积Cu2O薄膜,研究阴极还原Cu2O的电化学行为,利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)分析了Cu2O薄膜的微观结构和表面形貌,通过控制电沉积时间,研究Cu2O薄膜的表面形貌变化规律,讨论了Cu2O的生长机理。
- 赵文燕田传进汪长安谢志鹏杨海滨付乌有
- 关键词：电化学沉积
- 缓冲溶液法制备SOFC用Ni/YSZ负极材料被引量：28
- 2001年
- 固体氧化物燃料电池 (SOFC)用负极材料Ni/YSZ金属陶瓷的性能与其微观结构密切相关 .采用缓冲溶液法制备了三种Ni/YSZ金属陶瓷 ,并对其相组成、显微结构及电性能进行了表征 .分析表明 ,与机械混合法相比 ,缓冲溶液法能够使Ni在YSZ基质中分布更均匀 .相应地 ,在整个测试温度区间内 (836～1188℃ ) ,由缓冲溶液法制备的w (Ni)为 43 %的试样B - 43的电导率均远高于由传统的机械混合法制备的同一组成的试样M - 43.B - 43试样在 10 0 0℃的电导率为 70 9.73S·cm-1。
- 李英唐子龙谢裕生张中太
- 关键词：负极材料复合材料电导率镍
- 颗粒增强铝基复合材料滑动摩擦行为的载荷依赖性被引量：6
- 2003年
- 用盘一块式摩擦试验机,在30 m/s的滑动速度和0.1～0.8 MPa的法向载荷(压强)范围,研究了SiC颗粒增强6061铝合金对碳基材料滑动摩擦行为的载荷依赖性。观察并分析了法向压强对动摩擦因数的随机波动行为、摩擦初期的过渡行为及摩擦面状态的影响。重点讨论了相对稳定期动摩擦因数的平均值μAV、标准偏差σ以及过渡期时间t*和初始值μ0对法向压强pn的变化规律。结果表明,随pn值增大,t*线性减小,μ0基本不变,而μAV非单调变化(在大约pn<0.25 MPa的范围内急剧增大,大于这个压强则缓慢减小),σ的变化趋向与μAV类似。
- 翟洪祥杨勇黄振莺
- 关键词：颗粒增强铝基复合材料摩擦试验机
- 新型巨介电压敏陶瓷材料钛酸铜钙研究进展被引量：4
- 2008年
- 介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和电流-电压特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型，阐述了压敏特性的起源。指出CaCu3Ti4O12的巨介电特性还有隐含的物理意义没有被发现．其极化机制、拉曼谱上出现的特征能隙和特征频率的物理意义等都是有待解决的基本问题。应通过不同的制备工艺、产生不同缺陷和孪晶以及尺寸、应力研究介电特性与温度间的关系，为合理解决CaCu3Ti4O12的反常行为提供一些实验数据。同时CaCu3Ti4O12的压敏特性的研究还不充分，掺杂、复合及热处理工艺等对其影响的系统性研究工作还需要进一步的深入。纳米化可能会导致其某项特性的进一步提升．而薄膜化尽早与微电子的需要结合会产生更广的应用空间。
- 罗绍华
- 关键词：CACU3TI4O12压敏电阻
- 硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤被引量：3
- 2003年
- 以 Pb Ti O3(PT)作为种子层 ,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜 ,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属 )结构的电容 ,以用于铁电随机存取存储器 (Fe RAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 10 0 0 ,30 k V/ cm和 16 μC/ cm2 ,漏电流在 0 .1n A / cm2 量级 ,达到 Fe RAM的应用要求。铁电膜与CMOS电路集成时对铁电膜的铁电性可能造成的工艺损伤(如刻蚀损伤、氢损伤和应力损伤等 )的物理机制进行了初步研究和讨论 。
- 魏朝刚任天令邵天奇王小宁李春晓刘理天朱钧
- 关键词：铁电薄膜溶胶-凝胶法介电常数矫顽场
- 施主掺杂对(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷结构和性能的影响被引量：1
- 2005年
- 采用常规固相法制备了(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷.研究了等摩尔量的Y,Nb分别施主掺杂或Y和Nb共掺时对压敏陶瓷结构和性能的影响.结果表明,在其他条件不变的情况下,当Y和Nb等量共掺时,(Sr,Ba,Ca)TiO3基压敏陶瓷可获得较好的电性能:V1mA=12.2V·mm-1,α=13.6,εr=2.8×105,tanδ=0.103.
- 徐宇兴唐子龙张中太罗绍华张显友
- 关键词：施主掺杂
