四川省青年科技基金(2011JQ0053)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 有机二极管基于通用迁移率模型的解析电流电压关系被引量：1
- 2011年
- 提出一种有机半导体二极管电流电压关系的解析表达式.该表达式是基于Pasveer等人[Phys.Rev.Lett.94,206601(2005)]的迁移率模型建立的,其中考虑了影响有机半导体载流子输运最重要的因素,包括温度、载流子浓度和电场强度.将Pasveer等人迁移率公式中的栽流子浓度和电场强度用常数迁移率下严格解计算的平均值代入,然后将得到的迁移率取代Mott-Gurney电流电压关系中的常数迁移率从而得到解析电流电压表达式.将新解析表达式应用于三种材料制作的有机二极管,计算结果与实验数据符合很好,表明解析表达式是合理的.
- 王平孙久勋杨凯
- 关键词：有机半导体迁移率二极管
- 利用通用迁移率模型计算有机二极管的交流阻抗谱
- 2013年
- 推导出了有机二极管交流阻抗谱的公式,当迁移率为常数时的计算结果与文献中的解析公式相符合,表明推出的公式和编写的程序是正确的。进一步根据文献中与温度、载流子浓度和电场强度有关的通用迁移率模型,计算了NRS-PPV有机二极管的交流阻抗谱。结果表明阻抗的实部总是取正值,虚部总是取负值。阻抗的实部和虚部的绝对值在低频极限下的数值都是随温度和直流偏压增大而减小。实部总是频率的单调减函数,且减小的速率随温度和直流偏压增大而变慢;虚部绝对值在低温下是频率的单调减函数,在高温下将出现极大值,极值的峰高随温度和直流偏压增大而减小,极值位置相应地出现蓝移。
- 邓治军孙久勋周帅周陈鑫
- 关键词：阻抗谱
