甘肃省教育厅科研基金(0501-04)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
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- 含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究被引量：1
- 2006年
- 采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.
- 陈全海马书懿
- 关键词：Γ射线辐照光致发光发光中心
- Au/Ge/SiO_2/p-Si结构中的电流输运特性
- 2006年
- 用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用.
- 陈彦马书懿
- 关键词：射频磁控溅射
- Au/(C/SiO_2)/p-Si结构中的电流输运机理研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致.
- 张汉谋马书懿
- 关键词：射频磁控溅射I-V特性
- 铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究被引量：3
- 2007年
- 采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土铈(Ce)元素。利用原子力显微镜表征了多孔硅和Ce掺杂多孔硅的表面形貌,采用荧光分光计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究。多孔硅样品在480nm波长激发下PL谱上观察到两个发光峰,分别位于572和650nm;通过光致发光激发谱测量,得到位于572、650nm的发光峰对应的最佳激发波长分剐为380和477nm。Ce掺杂多孔硅样品在480nm波长激发下, PL谱上只显示出多孔硅原有的发光增强;而在380nm波长激发下的PL谱上不仅显示多孔硅原有的发光增强,而且还出现了新的发光峰位于517nm。认为这分别是Ce^(3+)与nc-Si发生了能量传递和Ce掺杂引入了新的发光中心所造成的。
- 张汉谋马书懿张国恒
- 关键词：稀土光致发光
- Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光机制研究被引量：2
- 2007年
- 用射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层膜,在室温下测量了Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致发光。利用位形坐标模型分析了锗/氧化硅纳米多层膜的发光中心,并用量子限制-发光中心模型对该纳米结构的电致发光过程作了研究,研究表明锗/氧化硅纳米多层膜的电致发光主要来自SiO2层的发光中心。
- 陈彦马书懿
- 关键词：电致发光发光中心
