国家教育部博士点基金(200220006037)
- 作品数：11 被引量：32H指数：4
- 相关作者：韦文生王天民张春熹周克足马静更多>>
- 相关机构：北京航空航天大学中国科学院温州师范学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- (p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
- 2005年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.
- 韦文生王天民张春熹李国华卢励吾
- 关键词：SI异质结变容二极管
- 掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
- 2003年
- 发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅 (nc Si:H)薄膜中纳米硅晶粒 (nc Si)有择优生长的趋势 .用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现 :掺磷的nc Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为 33°.掺硼nc Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为 47°.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到 :较高的衬底温度引起序参量改变 ,使掺磷nc Si:H薄膜中nc Si的晶面择优生长 .适当的电场作用引起序参量改变 ,导致掺硼nc Si:H薄膜在一定的自由能密度范围内nc
- 韦文生王天民张春熹李国华
- 关键词：掺杂电场温度
- 超辐射LD与带类球透镜保偏光纤的耦合技术被引量：7
- 2005年
- 采用高斯模场近似和模场匹配方法,对超辐射激光二极管与带类球透镜单模熊猫型保偏光纤的耦合,进行了仿真计算和实验研究。分析了耦合效率与光源激发的光模场、光纤结构及光纤头部形状、耦合工作参数等因素的关系。通过改进耦合技术获得了较高的耦合效率。
- 韦文生周克足张春熹王天民
- 关键词：耦合技术
- nc-Si:H薄膜的内应力特性研究被引量：1
- 2003年
- 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的内应力。结果表明:nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373-523K之间,掺硼nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc-Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。
- 韦文生王天民张春熹李国华韩和相丁琨
- 关键词：内应力PECVD微结构掺杂磷
- 980nm半导体激光二极管的温度特性被引量：5
- 2006年
- 测试并分析了980nm半导体激光二极管(SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光功率随管芯温度的变化基本保持稳定。温度不变的情况下,当注入电流小于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而较快增加,当注入电流大于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而缓慢增加;电流不变时峰值波长、3dB带宽和消光比随温度升高而有所增大。
- 韦文生
- 关键词：半导体激光二极管光谱输出功率消光比
- 1.30μm-MQW-SLD的性能与注入电流和温度的关系被引量：1
- 2004年
- 全面测试了峰值波长为1.30μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。得到:MQW SLD显示了软阈值特性。温度不变时,其输出光功率随注入电流的增大而增加;MQW SLD模块的峰值波长随注入电流的增大而减小;注入电流不变时,其输出光功率随管芯温度的升高而减小;峰值波长随温度升高而增大。SLD模块的3dB带宽随注入电流的增大及管芯温度的升高而变化。注入电流大于阈值电流时,MQW SLD模块的消光比随注入电流和管芯温度的升高而增大。
- 韦文生张春熹冯丽爽马静周克足王天民
- 关键词：输出功率消光比注入电流温度
- 1.55μm-MQW-SLD连续工作状态下的性能被引量：1
- 2004年
- 全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW-SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明:在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和温度的变化而变化。
- 韦文生张春熹冯丽爽周克足王天民
- 关键词：光谱输出功率消光比注入电流
- 1.3μm DH-SLD的性能与工作电流和温度的关系被引量：2
- 2004年
- 全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到:DH-SLD显示了软阈值特性,其输出光功率随注入电流的增大而增加,随管芯温度的升高而降低。温度不变时,当注入电流小于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大而减小,当注入电流大于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大有所增大;峰值波长随温度升高而增大。3dB带宽随注入电流的增大而减小,随温度的升高而略有增大。消光比随注入电流和温度的升高而变化。
- 韦文生张春熹马静周克足米剑王天民
- 关键词：输出功率消光比工作电流温度漂移注入电流
- Nc-Si∶H薄膜器件的研究
- 2004年
- 介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点。
- 韦文生徐刚毅王天民张春熹
- 关键词：光电转换器件化学稳定性
- 硅基光电集成材料及器件的研究进展被引量：7
- 2003年
- 以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效。
- 韦文生张春熹周克足王天民
- 关键词：光电集成器件
