教育部科学技术研究重点项目(03077)
- 作品数：13 被引量：72H指数：5
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- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目上海市科学技术发展基金“曙光计划”项目更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电气工程一般工业技术更多>>
- 利用发射光谱进行常压介质阻挡放电等离子体诊断及其在材料表面改性上的应用(英文)被引量：2
- 2005年
- 使用介质阻挡放电光谱诊断装置,对常压介质阻挡放电在材料改性过程中的等离子体发射光谱进行测量,记录和比较了空气、氦气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,并运用氩元素谱线的相对强度来诊断电子温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控。
- 唐晓亮邱高冯贤平闫永辉王良严治仁施芸城
- 关键词：介质阻挡放电等离子体诊断发射光谱大气压表面改性
- 常压介质阻挡放电等离子体发射光谱的检测分析
- ＜正＞介质阻挡放电（Dielectric Barrier Discharge）是一种典型的非平衡态的交流气体放电,近年来被国内外广泛应用于臭氧合成、大功率短波长光源、废气处理及等离子体显示等领域[1]。等离子体中大量带电...
- 唐晓亮邱高王良冯贤平
- 文献传递
- 常压介质阻挡放电间隙的选择及其在材料表面改性中的应用被引量：15
- 2004年
- 使用自制介质阻挡放电装置 ,分析了常压等离子体放电电流和放电功率与放电间隙的变化关系 ,提出了“放电临界间隙”的概念 ,并应用该装置对PBT熔喷非织造布进行表面改性 。
- 唐晓亮冯贤平黎志光闫永辉邱高
- 关键词：介质阻挡放电放电间隙等离子体诊断大气压表面改性
- 常压介质阻挡放电的部分电学参量研究被引量：19
- 2004年
- 用自制改进的介质阻挡放电连续处理纺织材料的装置 ,采用示波器李萨如图形测量放电功率 ,分析了常压等离子体放电的极板充电电流和放电功率等电学参量间的变化关系 ,研究结果表明 :放电间隙、工作气体成分和流量均会影响这些电学参量 ,当放电间隙 1.0～ 2 .5mm时 。
- 唐晓亮邱高任忠夫冯贤平闫永辉严治仁王良
- 关键词：介质阻挡放电材料表面改性李萨如图形电学辉光放电放电间隙
- 常压介质阻挡放电等离子体发射光谱的检测分析被引量：8
- 2006年
- 以常压介质阻挡放电等离子体作为研究对象,在常温常压条件下使用介质阻挡放电光谱诊断装置,得到N2第二正系跃迁和Ar原子发射谱线。通过对放电光谱的检测分析,可以察知常压介质阻挡放电等离子体的特性,并可运用同一元素谱线的相对强度来诊断电子激发温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控,工作的结果对常压介质阻挡放电及其在材料改性的应用中具有重要的意义。
- 唐晓亮邱高王良冯贤平
- 关键词：介质阻挡放电常压低温等离子体发光光谱等离子体诊断
- 潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质
- 2006年
- 设计并制造了新的潘宁型等离子体源实验装置,分析了等离子体的发射光谱和产生A lN的动力学机理。在室温条件下,纯氮气的工作环境中用潘宁放电离子源溅射的方法,在S i(100)衬底上制备了纳米级的光滑平整A lN薄膜。本文用扫描电镜(SEM),原子力显微镜(ATM),红外吸收光谱(FT IR)和拉曼光谱(R am ansh ift)等测试分析技术用来研究了薄膜的微结构特征。
- 李慧玉施芸城闫永辉杨平冯贤平
- 关键词：潘宁放电溅射AIN薄膜
- 移动式单探针诊断空心阴极等离子体的研究
- 2007年
- 利用移动式单探针对不同电源偏压、不同气压以及不同位置的空心阴极等离子体进行了诊断,分析了电压和气压对空心阴极等离子体的影响,并对测量数据中表征等离子体空间电位Vsp的拐点不明显这一现象进行了解释。
- 龚玉武施芸城杨霞
- 关键词：空心阴极等离子体
- 常压介质阻挡放电等离子体发射光谱诊断及其在材料表面改性中的应用被引量：25
- 2004年
- 使用介质阻挡放电光谱诊断装置,分析了常压等离子体放电电流与放电间隙的变化关系,提出了“放电临界间隙”的概念,记录和比较了空气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,并运用同一元素谱线的相对强度来诊断电子温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控。工作的结果对常压介质阻挡放电及其在材料改性中的应用具有重要的意义。
- 唐晓亮冯贤平黎志光闫永辉邱高
- 关键词：介质阻挡放电材料表面改性电子温度常压等离子体发射光谱
- 偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响被引量：2
- 2005年
- 利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.在拉曼光谱中可以看到典型的G,D和C N键的峰.当偏压为250 V时,薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失,此时薄膜的N/C比达到了0.81.通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C—C,sp2CN和sp3CN键的组分也发生了明显的变化.当偏压为250 V时薄膜的sp3CN相的含量达到了最大值为40%,同时氮含量也达到了最大值.实验结果给出了直接的证据:薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制.
- 杨平冯贤平施芸城闫永辉
- 关键词：氮化碳薄膜偏压
- 激光脉冲对内层等离子体辐射源的影响
- 2005年
- 本文的基本思想是设计双层金铝薄膜靶以检测激光脉冲宽度与等离子体消融深度的关系 ,找出有效的等离子体加热方法以产生更强更亮的等离子体辐射源。由于有预脉冲激光的存在 ,表层金薄膜首先被消融 ,由主脉冲携带的大能量就能较易穿过表层金等离子体将能量聚焦在内层铝靶上 ,由此产生内层高温等离子体。又由于外层低温等离子体存在 ,其将有效的阻碍内高温等离子体因膨胀而引起的能量损失。对无预脉冲而言 ,直接入射激光能量都沉积在靶表层形成表层高温等离子体。但是激光直接入射而产生的等离子体辐射总强度只比由预脉冲情况下产生的金等离子体辐射强度增加 1 5 %。而预脉冲能量只占激光总能量的 2 %。实验结果显示Al光谱线主要来自类氢 ,类氦离子跃迁。Au等离子体光谱线主要来自它的N带 ,O带和P带谱。我们也观察到一个明显的软X射线短波发射极限。
- 冯贤平
