贵州省科学技术基金(J[2010]2103)
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
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- 铁磁隧道结的隧穿磁电阻研究
- 2012年
- 在Slonczewsik自由电子理论模型下,研究了一由铁磁/铁磁绝缘体/铁磁构成的隧道结在零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率。结果表明,隧道结的磁结构对TC(隧穿电导)和TMR(隧穿磁阻)的值有很大的影响,在两磁极磁化方向相同且与势垒分子场同向时,TC取到最小值,而方向为反平行时,TC数值为最大,同时还对分子场取向对自旋电子输运性质的影响进行了分析,所得结果对自旋器件的设计有一定意义。
- 白忠臣齐赟唐维媛
- 关键词：TCTMR电子输运透射系数
- 激光诱导等离子体加工石英微通道机理研究被引量：5
- 2012年
- 利用调Q的Nd:YAG激光器输出的纳秒激光脉冲诱导等离子体加工石英微通道,显微镜下观察微通道深度可达4 mm,通道周围没有发现热裂纹,围绕通道内壁产生了固化层.研究了纳秒脉冲下固体材料损伤的电离机理.波长为1064 nm,光强不很强的纳秒脉冲作用时,光学击穿中等离子体的形成主要是雪崩电离的结果,利用雪崩击穿的阈值理论得到了等离子体形成模型,求出了等离子体形成范围,理论模型结果与实验结果基本相符.最后基于激光支持的爆轰波模型,利用流体力学理论求出了等离子体的温度、速度、压强等特征参数,并分析了微通道的特点.高温高压的等离子体烧蚀出石英微通道,等离子通过后,在冲击波压力作用下微通道内壁熔化的石英凝固形成固化层.
- 李世雄白忠臣黄政张欣秦水介毛文雪
- 关键词：等离子体微通道雪崩电离
- 磁性隧道结电子输运特性的研究
- 2012年
- 在Slonczewsik自由电子理论模型下,研究了两铁磁性金属电极被一平面磁性势垒隔开的磁性隧道结零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,研究表明隧道结的磁结构对隧穿电导和隧穿磁阻的值有很大的影响,当两磁性电极分子场方向相同,且都与势垒层分子场反平行时,隧穿电导数值达到最大,两者平行时,其数值最小,同时还分析了分子场的相对取向等对磁性隧道结自旋极化电子输运性质的影响.研究结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.
- 黄政胡浩
- 关键词：隧道结隧穿电导透射系数
- 激光诱导等离子体加工石英微通道的损伤模型被引量：5
- 2011年
- 利用调Q的Nd∶YAG激光器输出的纳秒激光脉冲诱导等离子体加工石英微通道,加工深度可达4.2 mm,通道内壁光滑。本文对激光脉冲与物质相互作用的移动损伤模型进行了研究,建立了适用于纳秒激光脉冲诱导等离子体加工石英微通道的损伤模型,利用损伤模型分析了通道特点,模型结果与实验结果基本相符。
- 李世雄白忠臣黄政张欣秦水介
- 关键词：激光诱导等离子体微通道激光脉冲
- 磁性隧道结隧穿电导和磁电阻的研究被引量：2
- 2012年
- 针对由一平面磁性势垒隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,基于自由电子近似并利用传递矩阵方法计算了其零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,研究表明隧道结的磁结构对TC(隧穿电导)和TMR(隧穿磁阻)的值有很大的影响,当两磁性电极分子场方向相同,且都与势垒层分子场反平行时,TC数值达到最大,两者平行时,TC的数值最小,同时还分析了分子场的相对取向等对磁性隧道结自旋极化电子输运性质的影响。研究结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义。
- 黄政胡浩
- 关键词：隧道结透射系数
