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广东省教育部产学研结合项目(2009B09030038)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：黄俊毅章勇范广涵更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇ITO薄膜
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇华南师范大学

作者

  • 1篇范广涵
  • 1篇章勇
  • 1篇黄俊毅

传媒

  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火温度对Ta掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：2
2010年
利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上沉积了Ta掺杂ITO(ITO∶Ta)薄膜,对比研究了在不同退火温度下ITO∶Ta和ITO薄膜表面形貌、方阻、载流子浓度、霍尔迁移率和透光率的变化情况。结果表明,随着退火温度的上升,ITO∶Ta薄膜的晶化程度不断提高,并获得较低的表面粗糙度。在合适的退火温度下,ITO∶Ta薄膜的光电性能也有显著的改善。当在氮气氧气氛围下经过500℃退火时,ITO∶Ta薄膜得到最佳的综合性能,表面均方根粗糙度为2.17 nm,方阻为10～20Ω,在440 nm的透光率可达98.5%。
黄俊毅范广涵章勇
关键词：ITO薄膜掺杂电子束蒸发退火温度
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