国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1580)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 相关作者：钱鹤李俊峰杨荣韩郑生柴淑敏更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀被引量：1
- 2006年
- 提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,提高了品质因数;该技术同高阻SOI衬底技术相结合,制造的10nH螺旋电感的最大品质因数达到8.6。
- 杨荣李俊峰钱鹤
- 关键词：螺旋电感品质因数硅刻蚀
- 部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)
- 2004年
- 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术 ,提出了用于数 GHz射频集成电路的 SOI n MOSFET器件结构和制造工艺 .经过半导体工艺模拟软件 Tsuprem4仿真和优化 ,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件 .制作了0 .2 5 μm SOI射频 n MOSFET器件 ,结构和工艺参数同仿真结果一致 。
- 李俊峰杨荣赵玉印柴淑敏刘明徐秋霞钱鹤
- 关键词：仿真射频SOI
- 截止频率53GHz的高性能0 .18μm射频nMOSFET(英文)
- 2006年
- 阐述了0·18μm射频nMOSFET的制造和性能.器件采用氮化栅氧化层/多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构.除0·18μm的栅线条采用电子束直写技术外,其他结构均通过常规的半导体制造设备实现.按照简洁的工艺流程制备了器件,获得了优良的直流和射频性能:阈值电压0·52V,亚阈值斜率80mV/dec ,漏致势垒降低因子69mV/ V,截止电流0·5nA/μm,饱和驱动电流458μA/μm,饱和跨导212μS/μm(6nm氧化层,3V驱动电压)及截止频率53GHz .
- 杨荣李俊峰徐秋霞海潮和韩郑生钱鹤
- 关键词：射频NMOSFET
- 一种新的SOI射频集成电路结构与工艺被引量：1
- 2004年
- 立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案。该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成。经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬底电感的初步实验,获得了良好的有源和无源器件特性,证明这一简洁的集成工艺方案是可行的。
- 杨荣李俊峰钱鹤韩郑生
- 关键词：SOI工艺射频集成电路LDMOSNMOS掩模版硅衬底
- 一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术(英文)被引量：1
- 2005年
- 提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术.这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺,局部增加电感下方的氧化层厚度,以降低衬底损耗和提高电感性能.所采用的结构及工艺简单、成本低廉,与CMOS工艺兼容良好.用这种技术制作的几种不同电感量的方形螺旋电感、品质因数和自谐振频率均显著提高.10nH,5nH和2nH的电感,品质因数的峰值分别提高了46. 7%,49. 7%和68 .6%;而自谐振频率的改善更明显,分别达到了92. 1%,91 0.%及不低于68 .1%.
- 杨荣李俊峰赵玉印柴淑敏韩郑生钱鹤
- 关键词：硅电感品质因数
