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国家自然科学基金(59631060)

作品数:16 被引量:108H指数:7
相关作者:李木森尹龙卫郝兆印程开甲刘志林更多>>
相关机构:吉林大学西北核技术研究所山东大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇金属学及工艺
  • 6篇理学
  • 5篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇金刚石
  • 8篇刚石
  • 6篇人造金刚石
  • 4篇高温高压
  • 3篇晶体
  • 3篇VALENC...
  • 2篇碳源
  • 2篇相结构
  • 2篇相结构因子
  • 2篇纳米
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇晶体生长
  • 2篇合金
  • 2篇高温
  • 2篇高温高压合成
  • 2篇ELECTR...
  • 2篇INTERF...
  • 2篇CEMENT...
  • 1篇单晶
  • 1篇低合金

机构

  • 6篇吉林大学
  • 4篇山东大学
  • 4篇西北核技术研...
  • 3篇山东工业大学
  • 3篇辽宁工学院
  • 1篇东北大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇空军长春飞行...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇烟台大学
  • 1篇济南永宁制药...

作者

  • 8篇李木森
  • 5篇郝兆印
  • 5篇尹龙卫
  • 3篇刘志林
  • 3篇程开甲
  • 3篇刘鹏
  • 2篇孙东升
  • 2篇孙振国
  • 2篇李志林
  • 2篇李迅
  • 2篇韩永昊
  • 2篇宫建红
  • 2篇许斌
  • 2篇刘洪武
  • 2篇崔建军
  • 2篇王成新
  • 1篇王文魁
  • 1篇高春晓
  • 1篇马常祥
  • 1篇杨洁

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇Scienc...
  • 2篇自然科学进展...
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇金刚石与磨料...
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇功能材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 2篇2001
  • 7篇2000
  • 1篇1998
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型碳源高温高压合成及外延金刚石
制备出碳含量高达41.1at%的铁碳化合物,并实现用铁碳化合物作碳源兼触媒合成金刚石。铁碳化合物粉末粒度为80~100目;在压力5.5GPa,温度1620K,保温保压8min的条件下生长出粒度为5~10μm的金刚石颗粒;...
刘鹏谢水生李木森郝兆印程开甲
关键词:金刚石籽晶高温高压
文献传递
纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜被引量:5
2000年
通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用该图案与抛光Si处金刚石成核密度的巨大差异 ,实现金刚石薄膜的高选择比生长。该方法具有工艺简单、沉积效率高、选择比高、对底无任何损伤等优点。同时 ,这种方法很容易在不同衬底上实现金刚石薄膜的大面积选择性生长。
刘洪武高春晓李迅王成新韩永昊邹广田王文魁文超
关键词:金刚石薄膜
Calculation of the valence electron structures of alloying cementite and its biphase interface被引量:7
2001年
The valence electron structures of alloying cementite θ-(Fe, M)3C and ε-(Fe, M)3C andthose of the biphase interfaces between them and α-Fe are calculated with Yu's empirical electrontheory of solid and molecules. The calculation results accord with the actual behavior of alloys.
刘志林李志林刘伟东
关键词:ALLOYINGVALENCEELECTRON
Cr,Mn低合金结构钢的相结构因子与C-曲线特性点的关系被引量:10
2000年
用余氏EET理论计算奥氏体中的C-Me偏聚结构单元的价电子结构,提出了固溶体中C-Me偏聚结构单元权重的计算方法,建立了低合金锰钢、铬钢奥氏体中C-Me偏聚结构单元的相结构因子n_A及其权重W与C-曲线鼻子温度T_P,T_B,C-Me偏聚结构单元的相结构因子F_C^D及其权重W与C-曲线最短孕育期t之间的关系式,并用这些关系式计算出了铬锰低合金结构钢的C-曲线鼻子温度T_P,T_B和最短孕育期t,计算结果与实测值吻合,表明此种方法可用于其他低合金钢的C-曲线特性点预测。
李志林刘志林孙振国马常祥
关键词:相结构因子C-曲线结构钢低合金结构钢
全文增补中
A Study of Diamond Growth Instability at High Temperature-High Pressure
2002年
In this paper, crystal growth instability of diamond was studied in a Fe-Ni-C system at high temperature-high pressure (HPHT). As any other crystal from solution, the flat or smooth growth interface of the diamond crystal is highly sensitive to growth conditions.The growth front interface should be of great importance to understand the diamond growth process.The presence of cellular growth interface by transmission electron microscopy indicated that there existed a narrow constitutional supercooling zone in front of the growth interface .Several parallel layers with cellular interface by TEM directly suggested that the diamond grows from the solution of carbon in the molten catalyst layer by layer, which is in accordance with the result obtained by scanning electron microscopy in this paper.Impurities are trapped by rapidly advancing growth layers during the diamond growth and they impose a great effect on the growth front stability.As the growth front interface approaches the impurity particle to a distance of about 10^-5-10^-7 cm, appreciable molecular forces begin to operate between them,and the impurity particle is trapped as the growth rate reaches a critical value.As a result,the driving force for crystallization under the impurity particles becomes smaller ,the front buckles under the particle.An impurity naturally reduces the growth rate to a different extent.
JianjunCUIZhaoyinHAO
关键词:晶体生长
表面改性层的电子结构及强化机理
本文研究了0.1%C钢(质量分数)含V,Nb,Ti,N表面改性层的电子结构。发现改性层的性能与改性层界面的电子结构有关且改性层和基体界面的应力取决于界面电子密度的连续性。
刘志林刘伟东李志林
关键词:电子结构连续性
Interface conjunction factors of the second phase particles in alloys and their effects被引量:5
2002年
The second phase in multi-phase alloys has connection with many important phenomena such as aging strengthening,dispersion strengthening,secondary hardening,crystal refinement.In this paper,the interface conjunction factors of the interface between MC(M=V,Nb,Ti) and austenite and martensite are calculate out.The relationship between these factors and the characteristics are analyzed.The reason for the second phases being fine and dispersing and their strengthening and toughening effect on the alloy is explained using the relationship.Based on the relationship,the valence electron structure of the interface between the second phase particles and the matrix can be optimized by changing the alloying elements,which make it possible to design the composition of alloys from the valence electron structure of the second phase particles.
李志林刘志林刘伟东张凌雯
关键词:INTERFACECONJUNCTION
人造金刚石晶体生长的微观机制被引量:5
2000年
本文以FeNi合金作为触媒 ,以石墨为碳源 ,在高温高压下合成了粒度为 0 .5mm~ 0 .7mm的金刚石单晶。利用扫描电镜 (SEM)和透射电镜 (TEM)对不同生长阶段的金刚石的表面和内部截面的形貌进行了微观观察和分析。结果表明 ,金刚石晶面以片层机制长大 ,生长孪晶在金刚石长大过程中出现。在孪晶中发现许多呈六角形的可能与被输送到生长孪晶的碳原子有关的亚颗粒。
尹龙卫李木森孙东升郝兆印程开甲
关键词:人造金刚石表面形貌孪晶催化剂晶体生长
人造金刚石晶体中微观杂质的TEM分析被引量:3
2000年
本文成功地利用透射电子显微术探讨了高温高压条件下于Fe Ni C系统中生长的人造金刚石单晶内部的微观杂质。分析了金刚石晶体中杂质的微观结构、化学成分组成、晶体结构及其可能形成的原因。研究结果表明 ,金刚石晶体中微观杂质与原材料、传压介质和高温高压过程密切相关 ,主要由面心立方 (FeNi) 2 3C6 ,正交结构的FeSi2 ,面心立方SiC和非晶态石墨组成。
尹龙卫邹增大李木森孙东升郑培智郝兆印
关键词:人造金刚石高温高压透射电子显微术
静压触媒法制备的人造金刚石中的晶体缺陷被引量:3
2001年
本文首次采用透射电子显微术系统地研究了由FeNi触媒制备的金刚石单晶的微观结构 ,分析了人造金刚石中存在的晶体缺陷 ,探讨了这些晶体缺陷形成的原因。研究发现金刚石中存在层错、棱柱位错、位错列和位错网络等晶体缺陷。研究结果表明 ,金刚石中的晶体缺陷与金刚石的高温高压合成过程密不可分 ,主要起源于金刚石中大量过饱和的空位和微观杂质所引起的内应力。
尹龙卫李木森陈芝孙东升董秀梅郑培智
关键词:人造金刚石层错位错网络晶体缺陷
共2页<12>
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