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国家自然科学基金(50032010): 作品数：21 被引量：141H指数：7; 相关作者：杨德仁阙端麟马向阳余学功崔灿更多>>; 相关机构：浙江大学河北工业大学波兰科学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>

Effect of the V-O complexes on oxygen precipitation in neutron-irradiated silicon: The effect of the V-O complexes on oxygen precipitation in neutron-irradiated silicon has been investigated at...; Can Cui; 关键词：SILICON NEUTRON-IRRADIATION

重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力被引量：1: 2003年; 研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)测量退火前后样品表面 Cr的含量 .结果表明在三种重掺硅中 ,HB硅片的内吸杂能力最强 ,HAs硅片次之。; 余学功杨德仁马向阳杨建松阙端麟; 关键词：氧沉淀内吸杂

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化被引量：7: 2003年; 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化 ,利用了XPS(X射线光电子谱 )、SEM(扫描电子显微镜 )、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪 )等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面 ,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于 110 0℃的条件下 ,氮气才能与硅表面发生反应 ,生成氮化硅 (Si3 N4 )薄膜 ,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应 ,生成二氧化硅 (SiO2 )薄膜 .; 祝洪良杨德仁汪雷裴艳丽阙端麟张寒洁何丕模; 关键词：氮化硅 X射线光电子谱氮化

快中子辐照CZ-Si的FTIR分析: 应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017-1.17 ×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为。发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下...; 杨帅马巧云刘铁驹李养贤李永章牛胜利李洪涛牛萍娟; 关键词：快中子辐照辐照缺陷 VO FTIR; 文献传递

Effects of Germanium on Movement of Dislocations in p-Type Czochralski Silicon被引量：1: 2006年; By indentation at room temperature followed by annealing at high temperatures, the pinning effect of germanium on dislocations in germanium-doped Czochralski silicon was investigated. Experimental results show that the dislocations in germanium-doped Czochralski silicon move shorter and slower than those in Czochralski silicon undoping with germanium when the concentration of germanium is over 1×1018 cm-3. The retarding velocity of dislocations is contributed to the dislocations pinning effect of the strain field introduced by the high concentration germanium, and the Ge4B cluster and the oxygen precipitation those are preferred to form at higher concentration germanium.; Li Dongsheng Zhao Yiying Yang Deren; 关键词：CZOCHRALSKI SILICON DISLOCATION

光电子领域中的纳米半导体材料被引量：4: 2002年; 近年来,纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意。由于纳米半导体材料的量子限域效应、尺寸效应等影响使得它们在光电转移、电子器件等方面有着优异的性能,必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用。详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史,研究情况以及存在的问题等。; 牛俊杰沙健马向阳张辉杨青杨德仁; 关键词：光电子领域纳米半导体材料光电转换纳米硅光电子器件光电材料

直拉硅片杂质缺陷的控制与利用被引量：1: 2004年; 简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展.提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用.此项研究是硅片缺陷工程的新内容.; 李养贤郝秋艳杨帅马巧云; 关键词：中子辐照直拉硅

硅中氮离子注入的研究进展: 2003年; 综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展。主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能;介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原子扩散等方面的研究和应用。; 裴艳丽杨德仁; 关键词：离子注入硅 SOI 半导体材料

氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响被引量：4: 2003年; 研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷 (voids)的影响 .样品在 10 5 0～ 12 0 0℃范围进行氢退火 ,退火前后样品上的流水花样缺陷 (FPD)和晶体原生粒子 (COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察 .实验结果表明在氢退火以后 ,FPD缺陷的密度随温度升高不变 ,而样品上的 COP密度大量减少 .分析可知 ,氢气退火仅仅消除了硅片表面的 voids,而对于硅片体内的 voids不产生影响 ,并在实验的基础上 ,讨论了氢退火消除 voids的机理 .; 余学功杨德仁马向阳李红阙端麟

大直径直拉硅片的快速热处理被引量：12: 2003年; 主要研究了快速热处理 ( RTP)对大直径直拉 ( CZ)硅片的清洁区 ( DZ)和氧沉淀的影响 .通过在 Ar、N2 、O2 三种不同气氛中 ,在不同温度下 RTP发现在大直径 CZ硅片中氧沉淀的行为及 DZ的宽度与 RTP的温度、气氛有很大关系 .在实验的基础上 ,讨论了在大直径 CZ硅中 RTP对氧沉淀和 DZ的影响机理 .; 余学功马向阳杨德仁; 关键词：氧沉淀

国家自然科学基金(50032010)