国家自然科学基金(11175062)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>
- 高d_(33)·g_(33)PZT压电陶瓷的制备
- 2014年
- 通过传统固相烧结方法,研究不同Sb2O3掺入量和有机粘合剂聚乙烯醇(PVA)掺入对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷性能的影响,制备了高d33·g33PZT压电陶瓷。采用扫描电子显微镜,阻抗分析仪,压电参数分析手段,对PZT压电陶瓷的性能进行了测试,结果为:机电耦合系数Kp=63.5%,介电损耗tanδ=0.018,相对介电系数εr=2004,压电性能d33=512pC/N,g33=29×10-3Vm/N,d33·g33=14.62pC·Vm/N2。该材料可应用于多个领域。
- 彭江古丽束伟张卫尚勋忠
- 关键词：锆钛酸铅聚乙烯醇压电性能
- 立方核壳晶粒模型的分布介电效应
- 2014年
- 用立方晶粒模型模拟多面体核壳结构,得到了有效介电常数与核壳尺寸的关系。当壳层为极薄的低介电常数时,该关系表现为晶粒尺寸效应:介电峰移向低温及介电常数下降;当壳层较厚且核与壳介电常数峰不同时,核对介电常数的贡献为其尺寸平方比相关的线性叠加关系。二阶铁电相变时,分布的居里温度会使介电峰向高温移动,同时介电常数减小;分析结果发现:其顺电相介电隔离率的温度关系不能用幂律表示。壳层居里温度的线性分布与核的高斯分布结合能够得到较为平稳的介电常数温度关系。认为铁电体极化强度的平方相当于偶极子的作用,利用偶极子复介电常数关系,导出了分布式铁电相变的损耗温度关系。
- 吴静曹万强尚勋忠
- 关键词：铁电相变极化强度介电常数
- MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响被引量：1
- 2013年
- 通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95Sr0.05(Zr0.525Ti0.475)O3+1.1mol%CaFeO5/2+0.3mol%Fe2O3+0.2mol%Li2CO3+xmol%MgO压电陶瓷材料。实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ。当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5%,相对介电常数ε3T3/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34%,机械品质因子Qm=822。其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中。
- 周虎尚勋忠周桃生常钢卢寅梅何云斌
- 关键词：压电陶瓷PZT电学性能
- 抗还原型PZT压电陶瓷的制备与性能被引量：1
- 2013年
- 采用固相法制备出可在低氧压和还原性气氛中烧结的压电陶瓷材料。材料最佳组成为:Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3+0.03%(质量分数)CuO+0.05%Nd2O3+1.00%Sb2O3。通过施主和受主共掺杂,既抑制了烧结过程中氧空位扩散,又避免了Ti4+与自由电子结合转变成为Ti3+,使陶瓷保持了压电性能。结果表明:添加半径合适的稀土元素,是使陶瓷具有抗还原性能的关键之一。当烧结温度为1050℃时,陶瓷压电应变常数d33=294 pC/N,平面机电耦合系数kp=43.56%,相对介电常数εT33/ε0=1 333,介电损耗tanδ=0.019 7。该材料可应用于与Ni、Cu等贱金属低温共烧的叠层压电器件中,能够大大降低器件的成本。
- 尚勋忠刘越彦孙锐郭金明周桃生常钢何云斌
- 关键词：压电陶瓷锆钛酸铅稀土掺杂
- 弛豫铁电体介电可调性的研究被引量：2
- 2012年
- 无铅弛豫铁电体具有较好的介电可调性,在顺电相有较大的介电常数和极小的损耗,因较大的优值而被广泛地用于微波器件.根据现有的介电可调性理论,通过参量的适当修正,对介电可调性的表达式做了合理的探讨,结论适用于处理实验结果.比较发现,在电场作用下顺电相保持不变的近似得出的结论与实验结果差距较大,而转化为铁电相与实验结果完全吻合.考虑外加电场和自发极化对弹性吉布斯自由能的修正,导出了高电场对介电常数的修正关系,与实验结果相符.提出了介电可调度的概念与计算公式,能够定量表示掺杂对介电可调性的影响.
- 尚勋忠陈威曹万强
- 关键词：弛豫铁电体
