江苏省自然科学基金(BK2012516)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：南京电子器件研究所东南大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
- 2013年
- 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。
- 王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛
- 关键词：低温合金欧姆接触
- Si基GaN材料寄生导电层的研究被引量：1
- 2013年
- 通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。
- 倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫
- 高耐压Si基GaN功率电子器件
- 2013年
- 基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅漏间距为15μm时,得到的GaN HEMT器件击穿电压530V,最大电流密度536mA/mm。器件的特征通态电阻为1.54mΩ·cm2,是相同击穿电压Si MOSFET器件特征通态电阻的二十五分之一。所制作的6mm栅宽器件击穿电压400V,输出电流2A。该器件的研制为制作低成本GaN HEMT功率器件奠定了基础。
- 管邦虎孔岑耿习娇陆海燕倪金玉周建军孔月婵冯军陈堂胜
- 关键词：功率电子器件击穿电压
- MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究
- 2014年
- 利用MOCVD法,在7.62cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN异质结材料。利用XRD、AFM、Hall等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN薄膜中In含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构;与AlGaN/GaN异质结材料相比,InAlN/GaN异质结的高温电子输运特性更好,773K下InAlN/GaN异质结的迁移率为130cm2/(v·s),明显高于AlGaN/GaN异质结的67cm2/(v·s)。
- 董逊倪金玉李亮彭大青张东国李忠辉
- 关键词：MOCVDINALN迁移率
