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四川省教育厅重点项目(2003A076)

作品数：1 被引量：4H指数：1
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相关机构：四川师范大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电阻
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿磁电阻
  • 1篇隧穿电导
  • 1篇间隔层
  • 1篇NI
  • 1篇NM
  • 1篇FI
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻

机构

  • 1篇四川师范大学

作者

  • 1篇李伯臧
  • 1篇谢征微
  • 1篇陈卫东
  • 1篇朱林

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻被引量：4
2006年
在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(此处NM为非磁金属层,FI为铁磁绝缘体或半导体层)的基础上,我们提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结(此处NI表示非磁绝缘体或半导体层).插入NI层的目的是为了避免原双自旋过滤隧道结中相邻FI层界面处磁的耦合作用所导致的对隧穿磁电阻的不利影响.在自由电子近似的基础上,利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导、隧穿磁电阻与FI层及NI层厚度的变化关系以及随偏压的变化关系进行了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.
朱林陈卫东谢征微李伯臧
关键词：隧穿磁电阻
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共1页<1>
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