国家重点基础研究发展计划(61363)
- 作品数：13 被引量：20H指数：2
- 相关作者：朱俊罗文博李言荣杨春郝兰众更多>>
- 相关机构：电子科技大学四川师范大学四川大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金四川省青年科技基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48)O3(PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS)。XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长。电流-电压(I-V)测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能。在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级。集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用。随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强。当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V。
- 张菲朱俊罗文博郝兰众李言荣
- 关键词：脉冲激光沉积PZTMGOC-VI-V
- 脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备a轴取向YSZ薄膜被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积方法,通过金红石相TiO2(200)纳米诱导层在蓝宝石衬底上生长了(200)取向的萤石相钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长过程进行原位监测;用XRD分析进行后位的薄膜结构表征;使用原子力显微镜来观测薄膜的形貌及晶粒大小。结果表明,我们成功地在蓝宝石衬底上外延了具有三重旋转织构的a轴取向萤石相YSZ薄膜,其外延关系为YSZ(200)∥TiO2(200)∥Al2O3(0001);YSZ[010]∥TiO2[001]∥Al2O3[11-20]。
- 经晶朱俊罗文博张鹰李言荣
- 关键词：YSZ薄膜脉冲激光沉积
- 介电/半导体功能集成薄膜的制备和特性调控
- 2009年
- 介电/半导体功能集成薄膜,主要是指将具有电、磁、声、光、热等功能特性的介电功能材料(主要是氧化物类介电功能材料)与硅、砷化镓或氮化镓等典型半导体类功能材料,以单层薄膜或多层薄膜的形式生长(甚至外延生长)在一起而形成的人工新材料,这类新材料有可能具有多功能一体化和功能特性之间的相互调制及耦合等特点,可望在新型电子和光电子器件中获得应用。介绍了介电/半导体功能集成薄膜产生的背景;从集成铁电薄膜与器件、HK/半导体集成薄膜与器件以及极性氧化物/GaN功能集成薄膜与器件等3个方面,分别介绍了介电/半导体功能集成薄膜的应用;概括介绍了介电/半导体功能集成薄膜的制备方法及特性调控。
- 何子均肖定全朱建国
- 关键词：GAN
- MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。
- 丁关凤朱俊王水力张菲罗文博
- 基于MVC的J2EE应用开发分析与比较被引量：2
- 2008年
- 针对J2EE应用开发,分析没有采用MVC设计模式JSP Model1及基于MVC设计模式的JSP Model2的异同,并对JSP Model2的实现框架Struts的不同使用方式,包括仅采用Struts框架,及采用Struts在内的多种框架共同使用,结合实际应用开发进行比较,分析其优缺点。并针对实际情况,提出了一种在实际开发中选用基于MVC设计模式不同框架的方式。
- 强勇军杨春
- 关键词：MVC模式J2EE平台STRUTS框架HIBERNATE框架SPRING框架
- 动力学研究AlN/α-Al2O3(0001)薄膜生长初期的吸附与扩散被引量：7
- 2009年
- 采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300—800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下(大于700℃),N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500—700℃之间的温度有利于AlN在α-Al2O3(0001)表面的稳定吸附生长.
- 杨春冯玉芳余毅
- 关键词：扩散
- 脉冲激光沉积制备NiO(111)外延薄膜及其结构研究被引量：2
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积法(PLD)在具有六方纤锌矿结构的蓝宝石衬底上制备了NiO外延薄膜,研究了沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。在650℃、20Pa氧分压的条件下制得了高结晶质量的单晶NiO薄膜。高能电子衍射分析发现,该NiO薄膜沿Al2O3[11–20]方向入射的衍射图像为清晰的斑点,说明NiO薄膜的生长模式为岛状模式,薄膜与衬底的外延匹配关系为:(111)[11–2]NiO//(0001)[11–20]Al2O3。
- 贝力朱俊赵丹郑润华李言荣
- 关键词：蓝宝石衬底
- 脉冲激光沉积法制备Pt薄膜的研究
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°。原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm。四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1.962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求。
- 李理朱俊李扬权经晶周文罗文博李言荣
- 关键词：电学性能表面形貌蓝宝石衬底
- AlN在α-Al_2O_3(0001)表面吸附过程的理论研究被引量：1
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,对α-Al2O3(0001)表面吸附AlN进行了动力学模拟计算,研究了AlN分子在a-Al2O3(0001)表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位。计算表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,其化学结合能达到4.844eV。吸附后AlN化学键(0.189±0.010nm)与最近邻的表面Al-O键有30°的偏转角度,Al在表面较稳定的化学吸附位置正好偏离表面O六角对称约30°,使得AlN与蓝宝石之间的晶格失配度降低。
- 余毅冯玉芳黄平杨春
- 关键词：ALN薄膜密度泛函理论
- 以TiO_2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜被引量：2
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的GaN基片上以TiO2为缓冲层外延生长了PZT(111)单晶薄膜。X射线衍射分析表明PZT(111)衍射峰的摇摆曲线半高宽为0.4°,说明薄膜结晶性能良好。PZT薄膜疲劳特性测试结果表明,在经过107次翻转后PZT薄膜的剩余极化强度开始出现下降。P-E电滞回线和I-V测试表明PZT薄膜矫顽场(2Ec)为350 kV/cm,剩余极化(2Pr)约为96μC/cm2,在1 V电压下薄膜的漏电流密度为1.5×10-7A/cm2。以上性能测试结果表明,在半导体GaN上外延生长的PZT铁电薄膜性能基本满足铁电随机存储器的需要。
- 李理朱俊罗文博
- 关键词：脉冲激光沉积PZTTIO2缓冲层GAN
