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双极模式SiCJFET功率特性的研究被引量：3: 2011年; 研究了常关型SiC双极模式结型场效应晶体管(BJFET)的工作机理并建立了数值模型.仿真结果表明SiCBJFET的双极工作模式可以有效的降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性而不增加工艺难度.仿真结果还表明SiCBJFET的双极工作模式会延长器件的开关时间.; 张林杨霏肖剑谷文萍邱彦章; 关键词：碳化硅双极型结型场效应晶体管

Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究被引量：11: 2011年; 本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1MeV电子辐照,-30V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1Mrad(Si)的γ射线或者1×l013n/cm2的中子辐照后,Ti/4H-SiC肖特基接触都没有明显退化;经过3.43×1014e/cm2的1MeV电子辐照后Ti/4H-SiC的势垒高度比辐照前轻微下降,这是由于高能电子引入的电离损伤造成的,且可以在常温下退火恢复.分别经过1Mrad(Si)的γ射线和3.43×1014e/cm2的电子辐照后,器件反向电流的变化都比较轻微,显示了良好的抗辐射特性.实验同时还发现电子和中子辐照会造成器件串联电阻增加.; 张林肖剑邱彦章程鸿亮; 关键词：肖特基辐照偏压

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