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福建省自然科学基金(2013J05096)

作品数:4 被引量:11H指数:2
相关作者:吕雪芹陈少伟张保平张江勇应磊莹更多>>
相关机构:厦门大学中国科学院厦门理工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇外腔
  • 3篇外腔半导体激...
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光栅
  • 3篇光栅外腔
  • 3篇光栅外腔半导...
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇调谐
  • 2篇可调
  • 2篇可调谐
  • 1篇窄线宽
  • 1篇数据存储
  • 1篇气体探测
  • 1篇全息数据存储
  • 1篇线宽
  • 1篇可调谐半导体...

机构

  • 3篇厦门大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门理工学院

作者

  • 3篇吕雪芹
  • 1篇应磊莹
  • 1篇张江勇
  • 1篇张保平
  • 1篇王霏
  • 1篇蔡丽娥
  • 1篇陈少伟
  • 1篇丁鼎
  • 1篇姚真瑜

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇Chines...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
蓝紫光宽带可调谐光栅外腔半导体激光器被引量:6
2013年
利用闪耀光栅作为外腔光反馈元件,研究Littrow结构的蓝紫光外腔半导体激光器。通过引入闪耀光栅,在光栅面和半导体激光器后端面之间构成耦合外腔,改善了中心波长位于405.5nm的边发射半导体激光二极管的性能。研究结果表明,在引入外腔反馈后,半导体激光二极管的阈值电流降低了27%,说明外腔与内腔之间具有较高的耦合效率;改变反馈元件光栅的转角,实现了激射波长的宽带连续调谐,调谐范围可达7nm。
陈少伟吕雪芹张江勇应磊莹张保平
关键词:激光器光栅外腔
785nm便携式光栅外腔可调谐半导体激光器的研制和输出特性被引量:2
2017年
针对移频激发拉曼光谱测试系统的小型化需求,在Littrow结构中,采用商用的785nm大功率激光二极管作为增益器件,构建了一款便携式光栅外腔可调谐半导体激光器。该激光器通过采用一种新型的波长调谐方法,即以改变半导体增益器件相对于准直透镜的水平位置来实现波长的连续调谐,实现了尺寸为140mm×65mm×50mm的小型化结构设计。相比于传统的旋转衍射光栅改变光线在光栅上的入射角来实现波长调谐的方式,该方法有效地缩减了增益器件的平移距离,从而有利于便携式外腔激光器波长的快速宽带调谐。实验结果表明,该激光器具有较宽的波长调谐范围,在340~900mA注入电流下均可实现10nm以上的波长调谐,尤其在900mA大注入电流下,其波长调谐覆盖779.40~791.07nm,调谐范围可达11.67nm,且激射线宽小于0.2nm,单波长输出功率最高可达280mW,放大的自发辐射抑制比大于25dB,呈现出较优异的输出性能,满足移频激发拉曼光谱检测系统对光源的基本要求。此外,该激光器可采用一微型压电陶瓷驱动器来实现波长的电动调谐,实验获得了1.35nm的波长调谐范围,证实了所制785nm便携式光栅外腔可调谐半导体激光器适合作为便携式移频激发拉曼光谱检测系统的光源用于减除原始拉曼光谱中的荧光背景。
王霏吕雪芹丁鼎蔡丽娥
关键词:光栅外腔半导体激光器波长调谐拉曼光谱
GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展被引量:3
2013年
介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。在此基础上,详细综述了GaN基光栅外腔半导体激光器的国内外研究进展,主要集中在线宽、无跳模调谐范围和功率三个性能指标的优化上,特别提及了厦门大学研究小组的工作进展。最后讨论了其在高精度光谱测试、气体探测和大容量全息数据存储中的应用,并且列举了铟原子的光谱测试和NO气体探测。
姚真瑜吕雪芹张保平
关键词:光栅外腔半导体激光器窄线宽气体探测全息数据存储
Influence of barrier thickness on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells被引量:2
2014年
The structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) with different barrier thick-nesses are studied by means of high resolution X-ray diffraction (HRXRD), a cross-sectional transmission electron mi-croscope (TEM), and temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements. HRXRD and cross-sectional TEM measurements show that the interfaces between wells and barriers are abrupt and the entire MQW region has good periodic- ity for all three samples. As the barrier thickness is increased, the temperature of the turning point from blueshift to redshift of the S-shaped temperature-dependent PL peak energy increases monotonously, which indicates that the localization po- tentials due to In-rich clusters is deeper. From the Arrhenius plot of the normalized integrated PL intensity, it is found that there are two kinds of nonradiative recombination processes accounting for the thermal quenching of photoluminescence, and the corresponding activation energy (or the localization potential) increases with the increase of the barrier thickness. The dependence on barrier thickness is attributed to the redistribution of In-rich clusters during the growth of barrier layers, i.e., clusters with lower In contents aggregate into clusters with higher In contents.
梁明明翁国恩张江勇蔡晓梅吕雪芹应磊莹张保平
共1页<1>
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