内蒙古自治区教育厅基金(NJzy08085)
- 作品数：1 被引量：5H指数：1
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- 半导体极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能被引量：5
- 2010年
- 采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E_(e-LO)^(tr)),第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E_(e-SO)^(tr)so(+),E_(e-SO)^(tr)so(-))。通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E_(e-ph)^(tr)和磁极化子的振动频率λ随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5 nm时,总自陷能E_(e-ph)^(tr)趋于一稳定值。另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子-声子间的相互作用改变而引起的.
- 王秀清
- 关键词：光电子学束缚磁极化子线性组合算符自陷能
