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中央高校基本科研业务费专项资金(200110203110012)

作品数：3 被引量：6H指数：1
相关作者：刘红侠卓青青蔡惠民杨兆年郝跃更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇总剂量
  • 2篇电离
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇总剂量效应
  • 2篇NMOS器件
  • 2篇SOI
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置条件
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇总剂量辐照效...
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇沟道
  • 1篇辐照效应
  • 1篇背栅
  • 1篇N沟道
  • 1篇KINK效应

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇卓青青
  • 3篇刘红侠
  • 2篇杨兆年
  • 2篇蔡惠民
  • 1篇彭里
  • 1篇王志
  • 1篇郝跃

传媒

  • 3篇物理学报

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
三维H形栅SOINMOS器件总剂量条件下的单粒子效应被引量：1
2013年
本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型,发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型,仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合.然后使用该模型,仿真研究了处于截止态(VD=5 V)的H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应.结果表明:随着总剂量水平的增加,器件在同等条件的重离子注入下,产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大,但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加.
卓青青刘红侠王志
关键词：总剂量效应
偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响被引量：5
2012年
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,引起的漏极泄漏电流越大.对于漏偏置为5V的器件,当栅电压大于阈值电压时,前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大,体电极的电流曲线呈现倒立的钟形.
卓青青刘红侠杨兆年蔡惠民郝跃
关键词：总剂量辐照效应泄漏电流碰撞电离
总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
2013年
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.
卓青青刘红侠彭里杨兆年蔡惠民
关键词：总剂量效应KINK效应碰撞电离
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