天津市科技攻关项目(043186511)
- 作品数：13 被引量：75H指数：6
- 相关作者：赵颖孙建耿新华魏长春张晓丹更多>>
- 相关机构：南开大学天津大学河北工业大学更多>>
- 发文基金：天津市科技攻关项目国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究被引量：8
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7·1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-SiH)/i(μc-SiH)/n(a-SiH/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1·2μm.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：X射线衍射微晶硅薄膜硅太阳电池硅材料本征
- 优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响被引量：1
- 2006年
- 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：气体流量
- 反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响被引量：7
- 2007年
- 研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性。200Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2Ω.cm。实验中沉积的ZnO薄膜在600～2600nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降。
- 陈新亮薛俊明张德坤孙健任慧志赵颖耿新华
- 关键词：ZNO薄膜
- p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响被引量：5
- 2006年
- 本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。
- 范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春谷士彬张存善
- 关键词：ZNO衬底温度
- 激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响被引量：9
- 2006年
- 采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%,随激发频率变化(40—70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.
- 高艳涛张晓丹赵颖孙建朱峰魏长春
- 关键词：激发频率
- 衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响被引量：14
- 2007年
- 研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175℃,低于175℃,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96cm2/V.s的高迁移率和3.28×10-2Ω.cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极.
- 陈新亮薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华
- 关键词：MOCVDZNO薄膜透明导电氧化物太阳电池
- 薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响被引量：3
- 2006年
- 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜；Hall测量表明，较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性，可归于晶粒长大和晶体质量提高。40min沉积时间（膜厚为1250m）制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构，其晶粒尺寸为300-500m，电阻率为7．9×10^-3Q·cm，迁移率为26．8cm^2／Vs。
- 陈新亮薛俊明孙建任慧志张德坤赵颖耿新华
- 关键词：MOCVDZNO薄膜透明导电氧化物太阳电池
- 玻璃衬底上p型ZnO薄膜的制备被引量：5
- 2006年
- 本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-A l共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性。霍耳测试结果表明:随着A l原子掺入量的逐渐增加,制备ZnO的类型逐渐由n型转换成p型,进一步提高后又转换成n型,文中对其中的原因进行了讨论。在普通玻璃衬底上制备出了空穴浓度达到4.6×1018cm-3,同时迁移率和电阻率分别为0.4 cm2.V-1.-s1、3.3Ω.cm的p型ZnO薄膜。
- 范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春王锐张存善
- 关键词：ZNO喷雾热分解
- 高速微晶硅材料的制备及其特性分析被引量：6
- 2005年
- 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500～700、激活能在0.5 eV左右、沉积速率大于0.8 nm/s和晶化率在60%左右的微晶硅材料.同时也对材料的稳定性进行了相关的研究.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜拉曼光谱
- 微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究被引量：3
- 2006年
- 对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.
- 张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
- 关键词：喇曼光谱
