河南省教育厅自然科学基金(2007140008) 作品数:11 被引量:12 H指数:2 相关作者: 路庆凤 刘海瑞 李玉山 李喜贵 徐勇光 更多>> 相关机构: 河南师范大学 菏泽学院 河南省光伏材料重点实验室 更多>> 发文基金: 河南省教育厅自然科学基金 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 一般工业技术 电气工程 机械工程 更多>>
立方晶系极射赤面投影图的计算机模拟 被引量:3 2009年 论述了绘制立方晶系极射赤面投影的原理和方法,在分析立方晶系(001)面投影图的基础上,采用Matlab作为编程语言,使用旋转矩阵,实现了立方晶系任意晶面的极射赤面投影图的程序化绘制,所绘投影图与实验室手绘标准图一致. 李喜贵 何秉然 何明鑫 刘海瑞 路庆凤关键词:立方晶系 计算机模拟 二步螺旋相移数字全息术 被引量:1 2009年 本文在二步相移算法以及四步螺旋相移数字全息的基础上提出了二步螺旋相移数字全息术算法.该方法只需采用两幅具有未知相移的螺旋数字全息图,即可有效重现物波的复振幅,模拟结果和理论分析相吻合. 张丙云 韩玉晶关键词:相移 波前 数字全息术 Ce_(1-x)Y_xPt_2Si_2(x=0.2,0.55,0.9)的晶场模拟 2010年 采用点电荷晶场理论模型,通过对Ce1-xYxPt2Si2(x=0.2,0.55,0.9)磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了其晶场分裂能和相应波函数,计算表明:晶场分裂能随x的增大而减小,晶场作用使得Ce3+六重简并基态分裂得到混合的双基态. 薛绛琴 张克磊 路庆凤关键词:磁化率 晶场效应 巨磁阻材料Sr1.9Gd0.1FeMoO6光掺杂的正电子湮没研究 2008年 采用固相反应法制备Sr1.9Gd0.1FeMoO6样品,通过X射线衍射检验其为单相.在光照10、20、30、40 min后分别做了正电子湮没实验.研究了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,分析了光掺杂对样品电子结构的影响.结果表明:正电子寿命参数对光掺杂量十分敏感,1τ、2τ随光照时间具有相同的变化趋势;在光照时间t>20 m in时,平均电子浓度随光照时间有明显的变化;持续的光掺杂使样品缺陷的平均尺寸相对减小,可能由微空洞、多空穴向双空穴或单空穴转变,使电子结构趋于有序化. 胡艳春 路庆凤 陈敬东 张星 徐勇光 张芹关键词:正电子湮没 不变本征算符法求解三模坐标-动量耦合量子谐振子的能级间隔 被引量:1 2009年 利用不变本征算符法给出了坐标-动量耦合的三模耦合量子谐振子的能级信息.计算结果表明:不同坐标-动量耦合形式的三模耦合量子谐振子的能级间隔是相同的. 张丙云 夏继周 刘红艳关键词:不变本征算符 能量本征值 单晶硅透射劳厄相图的Matlab模拟 2009年 以单晶硅为研究对象,根据X-射线晶体衍射原理,讨论了面心立方晶体透射劳厄相图的原理和方法。使用Matlab作为编程语言,设计了单晶硅透射劳厄相图的计算机模拟程序,绘制的(1 0 0)、(1 1 0)、(1 1 1)面的透射劳厄相图与实验照片有很好的一致性。程序具有任意设计沿各个晶向衍射的劳厄相图且可对劳厄斑点指标化的功能。利用该程序对单晶硅的劳厄斑点进行解析,可有效地减少测量环节,降低测量误差,提高测量精度,给结晶型太阳能电池的研究、开发和生产带来极大的方便。 何明鑫 何秉然 刘海瑞 路庆凤 李喜贵关键词:单晶 透射 X-射线衍射 化合物Ce_3Rh_2Ga_2和Ce_3Rh_3Si_2的晶场效应计算 被引量:1 2009年 通过对D.Kaczorowski等人磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+基态简并部分消除得到了双基态. 薛绛琴 刘海瑞 路莹 李玉山 路庆凤关键词:磁化率 晶场效应 钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱 被引量:2 2008年 采用固相反应法成功制备了钆掺杂样品Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).X射线衍射对样品的检测结果表明,在整个掺杂范围内样品单相性很好;利用正电子湮没技术对样品缺陷进行了研究,掺杂使微缺陷复合成大的空位团,导致缺陷尺寸变大;采用标准四引线法测量了样品电阻率随温度变化,反位缺陷、缺陷尺寸及GdFeO3和GdMoO3团簇是影响样品电阻率的重要因素. 路庆凤 胡艳春 张星 徐勇光 张芹 李喜贵关键词:正电子湮没 Fe离子掺杂对La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系晶体结构、输运性质的影响 2008年 采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn1-xFexO3(0 x 0.2)系列样品.实验研究了Fe离子掺杂稀土锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的电输运性质、微观结构和导电机制.结果表明:样品高温下导电遵从Mott变程跳跃机制;相同温度下烧结的样品,体系电阻率急剧增加,绝缘—金属转变温度TIM向低温方向移动.相同Fe替代含量的样品,在1200℃、1250℃、1300℃3个不同烧结温度下,晶格常数c变化不大,晶格常数a、b和晶胞体积随着烧结温度的升高而减小,晶体颗粒和体系电阻率随着烧结温度的升高而增大,绝缘—金属转变温度TIM向高温方向移动. 魏桂森 徐勇光 张星 常方高 王海英关键词:输运性质 CMR Co-Pd纳米管阵列的制备及其磁特性 2009年 用直流电化学沉积方法,通过改变沉积电压,在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备了Co-Pd合金纳米管阵列,分别用扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品的形貌和磁学性质进行了测试.SEM结果显示,纳米管阵列均匀有序;样品磁性测试结果表明,外场垂直于纳米管轴时的剩磁比(Mr/Ms)比外场平行于纳米管时的剩磁比大,且矫顽力(Hc)随着Co含量的增加而增加.在真空500℃退火后,样品矫顽力有明显增大. 刘海瑞 李玉山 路庆凤关键词:矫顽力 退火