国家自然科学基金(60306004)
- 作品数：15 被引量：55H指数：5
- 相关作者：钟景昌赵英杰郝永芹李林姜晓光更多>>
- 相关机构：长春理工大学沈阳化工学院中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：4
- 2006年
- 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。
- 李林王勇刘国军李梅王晓华
- 关键词：分子束外延
- 脊形波导耦合的光纤阵列设计被引量：2
- 2004年
- 分析了单模光纤与脊形波导的耦合模理论,讨论了其模式特点、最佳耦合条件。在此基础上,计算并设计出满足最佳耦合条件的光纤阵列V 型槽宽度。所设计的光纤阵列在对光纤提供高精度定位的同时,又能保证其与脊形波导的高效率耦合。
- 郝永芹钟景昌赵英杰李林张永明晏长岭苏伟
- 关键词：光纤阵列脊形波导
- 半导体激光器温度特性自动测试装置被引量：1
- 2007年
- 温度是影响半导体激光器特性的重要因素,对半导体激光器温度特性测试有重要的意义。本装置抛开传统的恒温测量方法,采用自动改变温度,并在不同温度下记录激光器的特性参数的方法测试半导体激光器的温度特性。在实验中得到良好的效果,给实验过程带来很大的方便。
- 马建立钟景昌郝永芹赵英杰乔忠良李海军
- 关键词：半导体激光器温度特性
- VCSEL的研究进展及应用前景被引量：9
- 2005年
- 介绍了垂直腔面发射半导体激光器的发展过程、器件结构、工作原理和新型的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器和晶片熔合工艺,同时展望了该器件的应用及发展前景。
- 赵英杰李轶华李林张永明郝永琴晏长岭姜晓光钟景昌
- 关键词：垂直腔面发射激光器液相外延技术波分复用
- 垂直腔面发射激光器制作新工艺被引量：10
- 2006年
- 采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1．34倍。在20℃～80℃范围内，对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6mW。激射波长随温度升高呈线性变化，且向长波方向移动，速率为0．06nm／℃。由实验结果计算出器件的热阻为1．96℃／mw。
- 郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器半导体激光器
- 渐变型DBR的数值模拟以及SPS型DBR的设计
- 2005年
- 利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,提出了腔膜由于受到有源区折射率变化的影响而偏移的结论,并用数值模拟加以验证。最后利用这种方法设计了一种带有短周期超晶格(ShortPeriodSuperlattices,SPSs)结构的新型DBR,并对新型DBR进行数值模拟,同时把它与渐变折射率型DBR进行了比较。
- 苏伟钟钢
- 关键词：数值模拟
- 垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律被引量：4
- 2009年
- 为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制,对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化,氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同氧化深度处生成物组成进行了微区分析。结果表明在不同氧化深度处氧化生成物各元素的组分含量不同,尤其氧元素的组分含量差别较大。分析和讨论了氧化不同阶段的反应类型和反应生成物,并建立了氧化速率随时间变化的数学模型,推导出在湿法氧化过程中,氧化速率随时间按指数规律变化,指出在一定的温度下,氧化时间越长,氧化速率越趋于稳定;适当降低氧化温度,延长氧化时间可提高氧化工艺的可控性与准确性。
- 侯立峰钟景昌赵英杰郝永芹冯源谢浩锐姜晓光
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器湿法氧化氧化速率
- RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
- 2005年
- 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。
- 李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军
- 关键词：分子束外延半导体材料
- GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算被引量：10
- 2004年
- 讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较 ,基本一致。与此同时 ,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析 。
- 晏长岭秦莉宁永强张淑敏王青赵路民刘云王立军钟景昌
- 关键词：应变量子阱跃迁长波长色散关系
- 垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
- 2005年
- 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min。用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW。
- 谢浩锐钟景昌赵英杰王晓华郝永芹刘春玲姜晓光
- 关键词：垂直腔面发射激光器布拉格反射镜氧化物限制氧化速率
