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国家自然科学基金(60318002)

作品数:5 被引量:23H指数:3
相关作者:吴丰顺张金松吴懿平奚弘甲郑宗林更多>>
相关机构:华中科技大学武汉光电国家实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电迁移
  • 2篇倒装芯片
  • 2篇无铅
  • 2篇芯片
  • 1篇倒装芯片技术
  • 1篇电镀
  • 1篇凸点
  • 1篇锡铅焊料
  • 1篇锡铅合金
  • 1篇芯片技术
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇晶须
  • 1篇互连
  • 1篇互连结构
  • 1篇甲磺酸
  • 1篇管脚
  • 1篇焊料
  • 1篇覆层
  • 1篇NI-CU

机构

  • 3篇华中科技大学
  • 1篇武汉光电国家...

作者

  • 4篇吴懿平
  • 4篇张金松
  • 4篇吴丰顺
  • 1篇奚弘甲
  • 1篇安兵
  • 1篇陈明辉
  • 1篇郑宗林
  • 1篇刘一波

传媒

  • 2篇华中科技大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
电镀方法制备锡铅焊料凸点被引量:5
2004年
介绍了利用甲磺酸锡铅合金镀液制备电镀凸点的工艺过程 ,讨论了影响电镀质量的工艺参数 :表面光亮度、分散及覆盖能力、沉积速率等 .研究发现 ,电流密度Dk 与最低搅拌转速密切相关 .在相同的时间里 ,Dk越大 ,镀液的分散能力越稳定 ,合金的沉积速率也越高 .在甲磺酸质量分数、Dk 一定的条件下 ,适当地提高搅拌转速有利于改善凸点的电镀质量 .对电镀凸点的剪切强度测试表明 。
郑宗林吴懿平吴丰顺张金松
关键词:倒装芯片技术电镀锡铅合金甲磺酸
无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量被引量:8
2007年
针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104A/cm2和2.2×104A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104A/cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10%,分析了其微观结构的扫描电镜照片,所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据.对无铅互连凸点的电迁移失效过程和四探针测量法的测量误差进行了分析,提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施.
吴丰顺张伟刚张金松吴懿平
关键词:电迁移倒装芯片
Preparation of Electrically Conductive Filler for Anisotropic Conductive Adhesive被引量:3
2007年
The preparation process of electrically conductive filler for anisotropic conductive adhesive was performed and discussed.The spherical filler contains tri-layer structures: resin core,Ni-P intermediate coating layer,Au outer coating layer.The 4 μm resin spherical cores were synthesized by monodispersion polymerization method.Then they were contributed to electrical conductivity by electrolessly plating Ni-P layer and gold layer.These particles have good corrosion resistance,high stability,and enough mechanical strength.When mixed with thermosetting epoxy resin to produce anisotropic conductive adhesive(ACA),it can realize a good conductive bonding between bumps on dies and pads on substrates.This environmentally friendly conductive material offers numerous advantages over conventional solder technology and is an ideal substitute for the lead-contained solder in electronics packaging.
华丽安兵吴懿平吴丰顺王佳何敬强
关键词:CONDUCTIVEPOLYMERIZATIONMICROSPHEREELECTROLESSPLATING
Cu-Ni/Solder/Ni-Cu互连结构的电迁移被引量:7
2008年
采用Cu-Ni/Solder/Ni-Cu互连结构,在加载的电流密度为0.4×104A/cm2的条件下,得到了界面阴极处金属原子的电迁移.数值模拟揭示了其原因是由于凸点互连结构的特殊性,电子流在流经凸点时会发生流向改变进而形成电流聚集,此处的电流密度超过电迁移的门槛值,从而诱发电迁移.运用高对流系数的热传导方法降低了互连焊点的实际温度,在电迁移的扩展阶段显著减小了高温引起的原子热迁移对电迁移的干扰;因此电迁移力是原子迁移的主要驱动力.在电迁移的快速失效阶段,原子的迁移是热迁移和电迁移共同作用的结果:电迁移力驱动阴极处原子的迁移,造成局部区域的快速温升,从而加剧此处原子的热迁移.
张金松奚弘甲吴懿平吴丰顺
关键词:电迁移金属间化合物
管脚无铅覆层的Sn晶须问题被引量:2
2005年
Sn镀层表面在某些情况下会长出长达数百微米的晶须,在电子器件服役过程中会导致电路短路等严重的可靠性问题。目前普遍认为内部压应力是导致Sn晶须生长的主要动力之一;晶须生长所需的Sn原子主要以扩散方式或位错运动方式提供,而温度因素既影响原子扩散速度,又影响镀层的应力松弛。预镀Ni或者预先热处理以形成扩散阻挡层来抑制晶须生长的方法较为常用。温度循环是加速晶须生长的一种有效手段。
吴懿平刘一波吴丰顺安兵张金松陈明辉
关键词:晶须无铅电迁移
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