中央高校基本科研业务费专项资金(2010MS006)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：吕文中范桂芬沈小婷王允祺王莹更多>>
- 相关机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。
- 沈小婷范桂芬王允祺吕文中
- 关键词：压电陶瓷PZN-PZT预烧温度
- B-Si-Pb玻璃掺杂PBSNF-PZT压电陶瓷的性能研究
- 2011年
- 通过传统固相反应法合成了Pb0.95Ba0.05[(Sb0.6Fe0.4)0.5Nb0.5]0.02Zr0.52Ti0.48O3(PBSNF-PZT)压电陶瓷,研究了B-Si-Pb(B2O3-SiO2-PbO)玻璃掺杂对PBSNF-PZT陶瓷结构及性能的影响。结果表明,掺杂少量B-Si-Pb玻璃后,所制PBSNF-PZT陶瓷的结构未改变,仍为四方相的钙钛矿型铁电体,晶粒尺寸降低,压电性能和介电性能改善,烧结温度降低。玻璃掺杂量为质量分数0.5%,在1150℃烧结所制的PBSNF-PZT陶瓷综合性能较好:εr=1950,tanδ=0.016,d33=470pC/N,k31=0.40,适用于对灵敏度要求较高的压电驱动器件。
- 吕文中王莹范桂芬
- 关键词：压电陶瓷压电性能
