国家杰出青年科学基金(10525211)
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
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- 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型(英文)
- 2008年
- 提出了一个全耗尽SOIMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACOATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：全耗尽SOIMOSFETS电势阈值电压
- (Bi_(3.7)Dy_(0.3))(Ti_(2.8)V(0.2))O_(12)铁电薄膜的制备及退火影响
- 2008年
- 铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景，受到极大的关注，其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性，得到了广泛的研究。采用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底成功沉积出（Bi3．7Dy0．3）（Ti2．8V0．2）012（BDTV）的A、B位同时掺杂的铁电薄膜，发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性。研究了650～800℃不同退火温度下，BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化。通过SEM分析发现，温度为750℃时，薄膜的颗粒生长较好，薄膜的铁电性能最佳。
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：溶胶-凝胶表面形貌铁电性
- 部分耗尽SOI MOSFETs中沟道的非对称掺杂效应(英文)
- 2008年
- 利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽SOI ,能抑制浮体效应,改善器件的击穿特性.同时跟已有的全耗尽SOI非对称掺杂器件相比,部分耗尽器件性能随参数变化,在工业应用上具有可预见性和可操作性.因为全耗尽器件具有非常薄的硅膜,而这将引起如前栅极跟背栅极的耦合效应和热电子退化等寄生效应.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：MOSFETS击穿电压
- Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响被引量：8
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12(Bi4-xNdxTi3O12,x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd3+只取代类钙钛矿层中的A位Bi3+.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV.cm-1的电场下为32.7μC.cm-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd3+开始进入(Bi2O2)2+层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi2O2)2+层的结构,材料发生铁电-顺电相变.
- 谭丛兵钟向丽王金斌廖敏周益春潘伟
- 关键词：ND掺杂BI4TI3O12拉曼频移铁电性能
