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国家科技重大专项(2011ZX2403-002)

作品数:7 被引量:5H指数:2
相关作者:宋亦旭孙晓民郑树琳杨宏军贾培发更多>>
相关机构:清华大学中国人民解放军沈阳炮兵学院更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇刻蚀
  • 5篇离子刻蚀
  • 2篇多目标
  • 2篇多目标进化
  • 2篇多目标进化算...
  • 2篇元胞
  • 2篇元胞自动机
  • 2篇自动机
  • 2篇离子
  • 2篇进化算法
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇刻蚀速率
  • 2篇仿真
  • 2篇产额
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇动法
  • 1篇移动法
  • 1篇搜索
  • 1篇搜索法
  • 1篇速率

机构

  • 7篇清华大学
  • 2篇中国人民解放...

作者

  • 7篇宋亦旭
  • 5篇孙晓民
  • 3篇郑树琳
  • 2篇贾培发
  • 2篇杨宏军
  • 2篇阮聪

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法
2014年
刻蚀表面仿真是研究等离子体刻蚀工艺过程机理的重要手段.在刻蚀表面仿真方法中,刻蚀表面演化模型和离子刻蚀产额模型直接决定了刻蚀表面演化结果.但现有的刻蚀表面演化模型不够精确,且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物理实验,而实际加工过程十分复杂,等效的离子刻蚀产额包含很多因素.针对这些问题,首先对当前的刻蚀表面演化模型进行改进,同时重新定义了离子刻蚀产额模型的优化目标,并利用实际刻蚀加工数据来优化离子刻蚀产额模型.为缩短优化模型所用时间,采用并行方法来加速优化过程.最后,将得到的离子刻蚀产额模型参数应用于采用元胞自动机法的刻蚀工艺实际仿真过程中.实验结果表明,该优化建模方法确实提高了仿真的精确度,同时优化过程所用时间也大大减少.
高扬福孙晓民宋亦旭阮聪
关键词:刻蚀速率多目标进化算法
基于压缩表示的离子刻蚀仿真三维表面演化方法被引量:4
2013年
为了研究表面演化过程的机理,提出了一种基于压缩表示的三维表面演化方法来模拟等离子体刻蚀工艺,并着重探讨了对离子刻蚀的仿真.为了解决三维元胞自动机内存需求量大的问题,该方法将二维数组和动态存储方式相结合,既实现元胞信息的无损压缩存储,又保持三维元胞间的空间相关性.实验结果也表明该方法不仅节省了大量内存,而且在高分辨率条件下查找离子初始碰撞的表面元胞效率较高,满足高分辨率仿真的要求.将该方法应用于实现刻蚀工艺三维表面仿真中,模拟结果与实验结果对比验证了该方法的有效性.
杨宏军宋亦旭郑树琳贾培发
关键词:等离子体刻蚀元胞自动机
基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法被引量:1
2014年
随着微电子产业的不断发展,刻蚀特征尺度达到纳米级,等离子体刻蚀工艺过程机理研究越来越受到重视.刻蚀表面仿真是研究离子刻蚀特性的重要方法.在离子刻蚀表面仿真中,离子刻蚀产额模型是研究刻蚀机理的重要模型,也是元胞自动机等仿真方法的重要基础.为了解决利用传统方法无法得到准确刻蚀产额模型参数的问题,本文提出一种基于刻蚀速率匹配的离子刻蚀产额优化建模方法,该方法以实际刻蚀速率与模拟刻蚀速率之间的均方差为优化目标,利用基于分解的多目标进化算法来优化离子的刻蚀产额模型参数,并将得到的刻蚀产额模型参数应用到采用元胞方法的刻蚀工艺的实际仿真过程中.实验结果表明了该刻蚀产额优化建模方法的有效性.
高扬福宋亦旭孙晓民
关键词:刻蚀速率多目标进化算法
模拟离子刻蚀过程3维表面演化方法
2014年
为了进一步研究刻蚀工艺机理来指导和优化刻蚀工艺,该文利用3维元胞自动机模型来实现表面演化方法,模拟等离子体刻蚀加工工艺,并着重探讨离子刻蚀过程的模拟。改进光线跟踪加速技术,提出了最近边界优先移动法实现刻蚀离子入射轨迹的计算;根据3维元胞自动机模型中表面演化特征,提出了一种邻域驱动拟合法来计算表面法线。实验结果表明,这些方法可以明显提高模拟方法的效率,满足快速仿真的要求。将该方法应用到实际硅刻蚀工艺的3维表面演化模拟,实验与模拟结果的对比也验证了该方法的有效性。
杨宏军宋亦旭贾培发
关键词:离子刻蚀元胞自动机
离子刻蚀工艺表面演化仿真的三维元胞模型被引量:1
2013年
为了更好地理解和认识刻蚀机理,并为制造工艺提供优化指导,采用三维元胞模型研究了离子刻蚀工艺的表面演化过程。针对三维元胞模型内存使用量大,采用了静态数组和动态双向链表相结合的方式进行信息存储;提出了边界时间最短优先移动法,改进了刻蚀离子入射轨迹计算量大的问题;通过一种降维分量拟合方法实现了刻蚀离子入射角度的快速求解,并重点对用于拟合计算的表面元胞的选取方法进行了改进,提出了滚轮搜索法,提高了拟合的准确度。将该模型应用到硅刻蚀工艺三维仿真中,其模拟结果与相关实验结果对比,验证了该模型对刻蚀工艺描述的有效性。
郑树琳宋亦旭孙晓民
关键词:离子刻蚀
基于三维元胞模型的刻蚀工艺表面演化方法被引量:2
2013年
为了更好地理解和认识刻蚀机理,并为制造工艺提供优化指导,采用三维元胞模型研究了刻蚀工艺的表面演化过程,并着重探讨了离子对表面演化过程的影响.针对刻蚀离子入射角度的求解问题,提出了一种降维分量拟合方法,将一个三维曲面拟合问题转化为两个二维曲线拟合进行求解,对入射点的表面法向量计算实现了快速求解,与采用最小二乘多项式曲面拟合求解离子入射角度相比,其计算精度和效率都有较大的提高;对用于拟合计算的表面元胞的选取方法进行了改进,提高了拟合的准确度.将这种方法应用到硅刻蚀工艺三维仿真中,其模拟结果与相关实验结果对比,验证了该方法对刻蚀工艺描述的有效性.
郑树琳宋亦旭孙晓民
关键词:刻蚀
元胞方法与蒙特卡洛方法相结合的薄膜生长过程模拟被引量:1
2015年
利用仿真方法从原子尺度研究薄膜生长过程是当前薄膜研究领域的热点.目前,仿真方法主要在纳米尺度模型实现,时空需求很大.针对这一问题,本文提出元胞和蒙特卡洛相结合的模拟方法,实现对微米尺度模型薄膜生长过程的模拟.利用元胞方法来实现模型表示以及演化计算,从而降低对内存空间的要求,提高计算效率,并使用蒙特卡洛方法计算粒子的扩散概率.通过对氮化硅薄膜生长过程进行具体研究,将模拟结果与实际实验结果和分子动力学演化结果进行表面形貌和成分的比较,验证了该方法的有效性.
阮聪孙晓民宋亦旭
关键词:薄膜生长蒙特卡洛方法
共1页<1>
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