国家高技术研究发展计划(2002AA312240)
- 作品数：11 被引量：14H指数：3
- 相关作者：陈弘达毛陆虹高鹏申荣铉唐君更多>>
- 相关机构：中国科学院天津大学东南大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低噪声1·25Gb/s光接收机前端放大器(英文)
- 2006年
- 设计并实现了一种基于TSMC 0·25μm CMOS工艺的低噪声、1·25Gb/s和124dBΩ的光接收机前端放大器.跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.测试结果表明,在2pF的寄生电容下,前端放大器工作速率达到了1·25Gb/s ,在光功率为-17dBm的光信号输入下得到了清晰的眼图.芯片采用3·3V电压供电,功耗为122mW,差分输出电压幅度为660mV.
- 薛兆丰李智群王志功熊明珍李伟
- 关键词：前端放大器跨阻放大器有源电感
- CMOS单片光接收机的带宽设计(英文)
- 2005年
- 设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD 小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,分析和模拟了这个光电集成接收机的带宽,用低成本的0.6μmCMOS工艺设计出1.71GHz带宽和49dB跨阻增益的接收机,并给出测试结果.
- 粘华毛陆虹李炜陈弘达贾久春
- 关键词：光电集成电路光接收机
- 单片集成光电探测器与接收机的协同设计(英文)
- 2004年
- 建立了光电探测器的行为模型 .此模型描述了注入光功率与光生电流的关系 ,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响 .给出了在统一的 SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法 ,并对光电探测器与 CMOS接收机电路进行了设计 .
- 高鹏陈弘达毛陆虹贾九春陈永权孙增辉
- 关键词：单片集成协同设计
- 基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计(英文)
- 2006年
- 设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.
- 陈弘达高鹏毛陆虹黄家乐
- 关键词：单片集成光电集成电路CMOS工艺
- 30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装被引量：1
- 2005年
- 介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法进行了实验研究,得到的平均耦合效率均达70%以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,介绍了列阵光纤耦合过程中光纤的位置、角度的调整方法和特点.
- 裴为华唐君申荣铉陈弘达
- 关键词：垂直腔面发射激光器并行光发射模块
- 用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径被引量：3
- 2003年
- 介绍了 1 0Gbit/s速率的甚短距离光传输系统VSR(VeryShortReach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成 (OEIC)
- 毛陆虹韩建忠粘华高鹏李炜陈永权
- 关键词：CMOS电路甚短距离传输同步光网络多模光纤互补金属氧化物半导体
- 10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用
- 2005年
- 介绍了万兆以太网技术(10 gigabit ethernet technology).万兆以太网使用以太网结构实现10Gbit/s点对点传输,距离可达到40km,使以太网的应用从局域网扩展到城域网和广域网.重点介绍了万兆以太网的功能结构、分层结构、物理传输介质和甚短距离(very short reach)网络传输的并行光传输系统在万兆以太网方面的应用.
- 周毅陈弘达左超贾久春申荣铉
- 关键词：ETHERNETXAUIVCSEL
- MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器被引量：5
- 2005年
- 为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RFCMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.
- 黄家乐毛陆虹陈弘达高鹏刘金彬雷晓荃
- 关键词：单片集成CMOS工艺硅光电探测器响应度结电容
- 基于垂直腔面发射激光器的高速率并行光发射模块(英文)
- 2005年
- 报道了关于并行光发射模块的设计与制作.优化设计、制作并测试了12信道并行光发射模块,单信道传输速率可达3Gbit/s.采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器作光源,激光器与驱动电路芯片直接用金丝连接.输出光束直接耦合进入12信道的光纤阵列中.采用小型化可插拔封装结构以便在应用中实现热插拔.模块的测试结果表明,在8mA的工作电流下,测到3Gbit/s的清晰眼图.
- 陈弘达申荣铉裴为华贾九春唐君周毅许兴胜
- 关键词：垂直腔面发射激光器并行光传输
- 16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块(英文)被引量：4
- 2003年
- 研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.
- 陈弘达申荣铉毛陆虹唐君梁琨杜云黄永箴吴荣汉冯军柯锡明刘欢艳王志功
- 关键词：垂直腔面发射激光器CMOS光互连VCSEL
