国家自然科学基金(10474078)
- 作品数：26 被引量：118H指数：6
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- InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究
- 2009年
- 分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A1(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为ne=1.61×1018cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A1(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。
- 王瑞敏陈光德
- 关键词：拉曼散射光谱
- 六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413nm和422nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显的红移现象,其中心波长随温度线性变化.理论和实验分析表明,413nm辐射与AlN本身性质无关,而422nm辐射峰是与A1有关的两种本征缺陷所致.
- 吕惠民陈光德耶红刚颜国君谷力郭金仓孙帅涛
- 关键词：光致发光谱本征缺陷
- GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究被引量：1
- 2006年
- 对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。
- 王瑞敏陈光德
- 关键词：GAN缺陷模
- MOCVD生长的GaN和GaN∶Mg薄膜的拉曼散射被引量：5
- 2005年
- 通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3 衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640, 660cm-1附近的两个峰,640cm-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276, 376cm-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子声子相互作用都有可能对E2 模的频率产生影响。
- 王瑞敏陈光德LIN J YJIANG H X
- 关键词：氮化镓拉曼散射应力松弛
- GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究
- GaN及其合金是一种新型的宽带隙半导体材料,近年来越来越引起人们的关注。目前对GaN材料在低温下散射特性的研究报道较少,低温拉曼散射谱中9550cm之间出现的一系列散射峰的产生机制存在着很大的争议。本文在78K温度下对G...
- 王瑞敏陈光德
- 文献传递
- 六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫光发光机理被引量：5
- 2007年
- 利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出六方单晶氮化铝(h-Al N)薄膜.反应温度为450℃,有效反应时间为20 h.高分辨率透射电镜发现为薄膜形态;电子衍射和X射线衍射结果都表明,氮化铝薄膜为六方结构.光致发光实验显示,在可见光范围内有一较强的辐射峰,中心位于413 nm处,半高宽约为5 nm.同时,本文对六方单晶氮化铝薄膜的生长机理和光致发光机理也进行了讨论.
- 吕惠民陈光德耶红刚颜国君
- 关键词：光致发光二茂铁
- 低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究被引量：6
- 2007年
- 在25mL的不锈钢反应釜中,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出了单晶氮化铝纳米线,反应温度为450℃,有效反应时间为24h.高分辨率透射电子显微镜测试结果显示,纳米线多为长直线状外貌特征,直径在40—60nm范围内,最大长度可达几个微米.高分辨率电子衍射和X射线衍射结果都表明,多数纳米线为六方结构,也有少量呈现面心立方结构.同时,提出了长直线状六方和面心立方单晶氮化铝纳米线的生长机理的假设,并对六方单晶氮化铝纳米线生长方向的人工控制也进行了讨论.
- 吕惠民陈光德颜国君耶红刚
- 关键词：纳米线X射线衍射透射电子显微镜
- 蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究被引量：3
- 2007年
- 在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现,常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程,持续时间分别为0.91,7.7和35.5ms;蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程,持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级.
- 苑进社陈光德
- 关键词：GAN薄膜
- InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射被引量：1
- 2009年
- 利用325nm紫外光激发,对不同组分的InxGa1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A1(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Frhlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行了对比.此外,还观察到位于1310cm-1附近的InxGa1-xN的E2声子组合模.
- 王瑞敏陈光德
- 六方相InGaN外延膜的显微Raman散射被引量：7
- 2006年
- 用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_(1-x)N薄膜样品进行了研究,观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP+),讨论了In_xGa_(1-x)N的A1(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时,对Raman谱中E2和A1(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_(1-x)N样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号.
- 王瑞敏陈光德竹有章
- 关键词：RAMAN散射X射线衍射应力
