国家杰出青年科学基金(60225010)
- 作品数：16 被引量：93H指数：6
- 相关作者：杨德仁阙端麟周成瑶张辉马向阳更多>>
- 相关机构：浙江大学浙江海洋学院南开大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 聚苯乙烯微球表面合成CdSe纳米晶被引量：2
- 2005年
- 以聚苯乙烯(PS)单分散微球为模板,利用表面化学沉积,在PS微球表面合成了CdSe纳米晶.透射电子显微镜(TEM)观察发现,CdSe纳米晶以岛状形貌分布在PS微球表面,X射线衍射(XRD)分析显示合成CdSe纳米晶具有立方相结构.通过对产物形貌的演变过程进行观察分析表明,PS球周围的双电层结构对该形貌的形成起决定作用.
- 夏明哲李东升杨德仁阙端麟
- 关键词：聚苯乙烯硒化镉
- 单分散硫化铜纳米晶的生长及调控被引量：7
- 2008年
- 以氯化铜、油胺和硫粉为反应物,利用热注入化学反应制备单分散硫化铜纳米晶。通过加入其它表面活性剂可以对纳米晶的尺寸,形貌和稳定性进行调控。这些表面活性剂包括苄胺、油酸、硬脂酸、十二烷基硫醇、三辛基氧化膦和烷基胺等。在一定条件下硫化铜纳米晶还可以自组装为蛇状纳米结构和玉米棒状纳米结构。最后利用X射线衍射仪、透射电镜和高分辨透射电镜对硫化铜纳米晶的结构和形貌进行了表征。
- 张懿强张辉于敬学杨德仁阙端麟
- 关键词：表面活性剂
- 快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响被引量：2
- 2006年
- 本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀。经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD)。
- 马强杨德仁马向阳崔灿
- 关键词：直拉硅单晶氧沉淀CMOS工艺
- 铸造多晶硅中铜沉淀的电子束诱生电流被引量：7
- 2005年
- 利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性, 并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行为进行了比较。EBIC观察发现,在铸造多晶硅中,热处理的冷却速率和结晶学缺陷(如晶界和位错)共同影响着铜在多晶硅中的扩散和沉淀性质。样品在快速冷却时,在晶界以及晶粒内形成了很高密度且分布较均匀的细小铜沉淀;而在慢速冷却时,则是形成密度较低,较大尺寸的铜沉淀。EBIC 的衬度计算显示,慢速冷却下形成的铜沉淀具有更强的复合特性,且铜沉淀在晶界上的分布具有选择性。最后, 讨论了铜沉淀在铸造多晶硅中的形成机理。
- 陈君杨德仁席珍强阙端麟关口隆史
- 关键词：EBIC
- 硅晶体缺陷发光及应用被引量：2
- 2005年
- 信息技术的发展要求在集成电路内部用光子代替电子来传导信息,这就使得硅基光源成为技术发展的方向和光电子集成的关键,是当前急需解决的科学挑战之一。硅晶体缺陷发光是十分重要的硅基发光现象,已引起广泛的关注。在硅基位错发光原理的基础上,综述了硅晶体中缺陷的光致发光和电致发光的研究进展,以及硅晶体缺陷在发光器件方面的应用。
- 袁志钟杨德仁
- 关键词：硅晶体光电子集成电致发光光致发光位错发光原理
- 网络状氮化硼纳米棒的生长研究被引量：1
- 2004年
- 利用等离子体增强化学气相沉积 (PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition ,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼 (BN)材料。扫描电子显微镜 (ScanningElectronMicroscopy ,SEM)图 ,能量分散谱 (EnergyDispersiveSpectrum ,EDS)和傅里叶红外光谱 (Fouriertransforminfraredspectroscopy ,FTIR)表明 ,在一定的生长条件下BN薄膜呈现由纳米棒搭构而成的网络状结构。纳米棒的直径在几十到几百纳米范围 ,长度为微米量级。对这种特殊形貌的生长机理进行了探讨。
- 卢晓敏汪雷杨德仁
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积纳米棒氮化硼PECVD傅里叶红外光谱
- 氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响被引量：6
- 2004年
- 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响 .实验结果表明 ,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的 M形的氧沉淀密度分布 ,即表面形成没有氧沉淀的洁净区 (DZ) ,体内靠近 DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀 ,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀 .分析认为 ,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散 ,同时在硅片体内促进氧沉淀 ,改变了间隙氧的分布 。
- 崔灿杨德仁马向阳余学功李立本阙端麟
- 关键词：掺氮直拉硅氧沉淀退火
- 多孔硅/PVK复合体系的光电性能被引量：2
- 2005年
- 用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合 ,并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能 .实验结果表明 :热处理有利于复合体系发光强度的提高 ;而且当热处理温度不超过 12 0℃ ,随着热处理温度的升高器件的整流效应增大 .同时 ,复合体系还实现了电致发光 ,产生了 5 5 5nm的电致发光峰 .
- 周成瑶李东升张年生杨德仁
- 关键词：多孔硅PVK电致发光
- p型轻掺多孔硅的发光特性研究
- 2005年
- 采用阳极氧化法在 p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si H、Si H2 键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中 Si H、Si H2 键红外振动峰的变化解释了上述现象.
- 周成瑶李东升杨德仁阙端麟
- 关键词：多孔硅光致发光
- 热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响被引量：1
- 2007年
- 研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.
- 崔灿杨德仁马向阳
- 关键词：直拉硅氧沉淀内吸杂
