国防基础科研计划(A1420080168)
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3有序构型的第一性原理研究被引量：5
- 2011年
- 采用第一性原理计算了Ba0.5Sr0.5TiO3三种有序构型的晶格结构和对应的电子结构,晶格结构的详细分析结果表明BST{100}有序构型为四方相,Ti-O八面体中Ti原子和Ba-Sr平面上的O原子沿[100]方向分别偏心位移0.040和0.065,八面体畸变导致反平行自发极化出现,构型处于反铁电态.BST{110}构型也是四方相,并且(110)和(110)面上的O原子存在0.029偏心移动,但Ti原子仍位于Ti-O八面体中心,构型处于顺电态.而BST{111}构型为立方相,其Ti-O八面体高度对称无畸变,构型为顺电态.态密度结果显示Ti3d和O2p轨道的杂化作用对BST钙钛矿晶体中铁电性的产生起着至关重要的作用,计算结果的综合分析表明A位的局部有序性会导致无序结构BST固溶体的结构相变.
- 何建平吕文中汪小红
- 关键词：钛酸锶钡第一性原理铁电性
- SiO_2掺杂对BST-MgO陶瓷微观结构和介电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x≤5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响。XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4。质量分数x为0.5%的SiO2掺杂提高了BSTM陶瓷的致密度及可调率,并降低了其微波损耗,此时,陶瓷样品的可调率为16.21%,Q.f=109.5 GHz。随着SiO2掺杂量的进一步增加,BSTM陶瓷的可调率有所提高,介电常数逐渐降低,微波品质因数先降后升。在x=3.0%时,BSTM陶瓷的可调率达17.6%,Q.f=89 GHz。
- 汪小红史霄何建平吕文中
- 关键词：无机非金属材料钛酸锶钡介电性能
