河南省基础与前沿技术研究计划项目(072300410310)
- 作品数：10 被引量：19H指数：3
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- 相关机构：南阳理工学院郑州大学南阳医学高等专科学校更多>>
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- 相关领域：理学电气工程一般工业技术更多>>
- 多孔硅薄膜上铜微晶的形成被引量：1
- 2008年
- 以氯化铜水溶液作电解液,在发光多孔硅薄膜表面上电沉积铜.SEM观测和计算机图像处理结果表明:电沉积之后,在多孔硅薄膜上形成了一些或实心或中空的等边三角形铜微晶,沉积后的多孔硅薄膜的分形维数从2.608降为2.252,其表面由粗糙变为光滑.与物理方法制作相比,这是一种机械强度和导电性能都更加良好的多孔硅薄膜.
- 陈兰莉周甫方翟保改黄远明
- 关键词：电沉积多孔硅微晶纳米材料分形维数
- PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响被引量：1
- 2013年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。
- 靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增
- 关键词：溶胶-凝胶
- 手性香蕉形液晶在结晶过程中的分形特性被引量：1
- 2009年
- 用差分扫描热分析仪、偏光显微镜观察了香蕉形液晶在结晶过程中星形、草状两种分形结构的形成规律。采用计盒维数的方法,计算了这两种分形体的分形维数大约为1.9。用计算机模拟,重现了它的结晶过程,分形理论说明这种香蕉形液晶的结晶过程属于渗流生长模型。
- 陈兰莉
- 关键词：分形分形维数渗流
- 沉积温度对PECVD制备微晶硅薄膜性质的影响
- 2015年
- 采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。
- 王生钊黄奇瑞卢景霄石明吉陈兰莉郭新峰
- 关键词：PECVD沉积温度微晶硅薄膜晶化率晶粒尺寸
- 含偶氮苯弯曲液晶的光化学性质研究(英文)被引量：3
- 2011年
- 研究了紫外光照和温度对偶氮弯曲液晶极化电流的影响。在365 nm紫外光照下,这种偶氮化合物的极化强度随紫外光照时间增加而变化直至为零;当温度从150℃升高到175℃时,弯曲液晶的极化电流随温度线性降低,用Landau-de Gennes理论解释了这一现象。其极化情况随紫外光照和温度而变化的实验规律表明:在紫外光照下偶氮弯曲液晶发生了光致异构化、光裂解和热裂解作用。
- 陈兰莉张丹
- 关键词：光照自发极化
- 强子对撞机上top-pion介子与t夸克的关联产生被引量：1
- 2009年
- Top-pion介子作为TC2理论特征粒子,它的存在与否是验证TC2模型的最直接的证据之一.我们在TC2模型框架下,对强子对撞机上带电top-pion介子与t夸克的关联产生过程(pp(p-p)→tΠt-)进行了研究.结果表明:在Tevatron上,通过该过程不易探测到带电的top-pion介子;而在LHC上,该过程年产生事例数可达104量级.因此,在LHC上很有希望探测到top-pion介子,并进一步检验TC2模型.
- 陈兰莉许文娜王学雷
- 关键词：TC2模型强子对撞机TOP-PION介子产生截面
- 退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响被引量：4
- 2010年
- 通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。
- 靳瑞敏王玉仓陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜拉曼光谱扫描电镜
- 两种理论解释Aharonov—Bohm效应的对比分析
- 2009年
- 概述了Aharonov—Bohm效应,并用经典电动力学和量子力学对其进行了解释。两种理论解释的对比分析表明,经典电动力学的局限性和量子力学的严谨性、整体性及科学预见性。
- 陈兰莉
- 关键词：AHARONOV-BOHM效应矢势
- 催化剂对制备SiO_2减反膜的影响被引量：6
- 2010年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H20和HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,通过调节催化剂控制SiO2纳米颗粒尺度,然后在玻璃上用旋涂法镀膜并对其进行热处理,制备低折射率SiO2减反膜.分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究不同性质和剂量的催化剂对薄膜结构、折射率的影响.结果表明:通过控制适量的碱酸催化剂可以制备出低折射率多孔结构的SiO2太阳电池减反膜.
- 靳瑞敏肖东岳苍利民阎韬徐建军韩香菊
- 关键词：溶胶-凝胶催化剂
- 香蕉型液晶的电子结构计算和电激发特性被引量：5
- 2009年
- 用舒克紧束缚法计算了一种新型香蕉型液晶1,3-phenylene bis[-4-（4’-nonyloxy）phenyliminomethyl]benzoate的电子结构，结果表明：LUMO和HOMO的能量差别主要是受到香蕉型液晶的中心核、桥键（—COO—）的影响，而烷基尾对香蕉型液晶电子结构的影响不大；在6种可能跃迁中，只有能量最低的两种（π→π，n→π）在200-800nm可见光范围内是经常发生的。对于这种香蕉型液晶，电子激发主要发生在4．0eV（310nm）和1．7eV（730nm）处。
- 陈兰莉汤中科
- 关键词：电子结构电子跃迁光学吸收
