国家自然科学基金(11175172)
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- VO2薄膜表面氧缺陷的修复:F4TCNQ分子吸附反应
- 2016年
- VO_2表面氧缺陷的存在对VO_2材料具有显著的电子掺杂效应,极大地影响材料的本征电子结构和相变性质.通过2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌(F_4TCNQ)分子表面吸附反应,可以有效消除表面氧缺陷及其电子掺杂效应.利用同步辐射光电子能谱和X射线吸收谱原位研究了修复过程中电子结构的变化以及界面的化学反应,发现这种方式使得VO_2薄膜样品氩刻后得到的V^(3+)失去电子成功地被氧化成原先的V^(4+),同时F_4TCNQ分子吸附引起电子由衬底向分子层转移,界面形成带负电荷的分子离子物种.受电化学性质的制约,(F_4TCNQ)分子吸附反应修复氧缺陷较氧气氛退火更安全有效,不会引起表面过度氧化形成V_2O_5.
- 王凯张文华刘凌云徐法强
- 关键词：二氧化钒薄膜氧缺陷
