您的位置： 专家智库 > >

江苏省自然科学基金(BK2010385)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：杨濛滕龙于治国刘斌施毅更多>>
相关机构：南京大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇功率
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇谢自力
  • 1篇张荣
  • 1篇陈鹏
  • 1篇韩平
  • 1篇郑有炓
  • 1篇施毅
  • 1篇刘斌
  • 1篇于治国
  • 1篇滕龙
  • 1篇杨濛

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量：1
2012年
通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。
滕龙于治国杨濛张荣谢自力刘斌陈鹏韩平郑有炓施毅
关键词：功率
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0