浙江省自然科学基金(Z406092)
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
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- 相关机构：浙江大学浙江工业大学之江学院更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- In_2O_3透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9V.结果表明,In2O3薄膜晶体管在新型平板显示领域具有潜在的应用前景.
- 徐天宁吴惠桢张莹莹王雄朱夏明原子健
- 关键词：磁控溅射薄膜晶体管场效应迁移率
- 氧化铟薄膜制备及其特性研究被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω.cm、9.69 cm2/(V.s)和1×1018cm-3.退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.
- 原子健朱夏明王雄张莹莹万正芬邱东江吴惠桢杜滨阳
- 关键词：氧化铟射频磁控溅射表面形貌X射线衍射电学特性
- ZnO薄膜光致发光的表面等离子体增强效应
- 采用S(i100)做衬底、射频磁控溅射技术制备ZnO薄膜。利用激发光直接正面入射Ag/ZnO薄膜,研究了ZnO薄膜的荧光增强。发现ZnO荧光强度和Ag膜厚度密切相关,当Ag的厚度为7nm时ZnO薄膜光致发光增强了20倍。...
- 万正芬徐天宁吴惠桢原子健邱东江
- 关键词：ZNO薄膜表面等离子体荧光增强光致发光
- 文献传递
- 掺氮ZnO的多声子共振Raman散射光谱研究
- 我们详细研究了掺氮ZnO薄膜中的多声子共振Raman散射过程,在室温下观察到高达六阶的纵光学(LO)声子峰,而且掺氮后ZnO的共振Raman散射强度显著增强。掺氮ZnO第一阶LO声子的Raman散射强度比未掺杂ZnO样品...
- 朱夏明吴惠桢原子健孔晋芳沈文忠
