福建省农科院青年科技人才创新基金(2001J030)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
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- 荧光粉涂层对大功率PC-LED光提取效率的影响被引量：4
- 2012年
- 运用基于拟蒙特卡洛的光线追迹方法,模拟计算采用不同曲率透镜及荧光粉层置于不同位置时大功率发光二极管(LED)器件的光通量和光辐射功率.仿真结果表明:对于反光杯顶部采用透镜封装的LED的光通量输出和荧光粉转换效率、透镜曲率、荧光粉层位置、荧光粉粒径大小等因素有关;平面荧光粉涂层处于反光杯中不同位置时,光通量之差大于50%,而光辐射功率也有明显的差别;当透镜顶部与反光杯开口的距离为反光杯开口半径的一半时,荧光粉涂层位于反光杯中间偏下约0.2mm位置,可得到较大的光通量和荧光粉转换效率.
- 张锦华王加贤朱大庆
- 关键词：发光二极管光通量光线追迹
- Ge/Al-SiO_2薄膜材料的非线性光学特性被引量：1
- 2012年
- 采用磁控共溅射及后退火技术制备Ge,Al共掺SiO2薄膜,通过X射线衍射谱和傅里叶红外吸收谱对样品进行表征,并采用皮秒脉冲激光器的单光束Z扫描技术研究薄膜的三阶非线性光学特性.研究结果表明:薄膜材料对1 064nm的光具有自散焦和双光子吸收效应,薄膜的三阶极化率χ(3)为3.84×10-16 m2.V-2.薄膜材料的三阶非线性极化率比SiO2和GeO2均有显著的提高,说明薄膜材料中的纳米Ge颗粒的量子限域效应及双光子吸收效应是其产生非线性光学效应增强的主要原因,同时Al的掺杂也促进了材料的三阶非线性光学效应的增强.
- 陈虎王加贤
- 关键词：三阶非线性光学性质Z扫描技术磁控溅射
- 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜的光学性质及其应用的研究被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术与热退火处理制备了纳米锗镶嵌二氧化硅(nc-Ge/SiO2)复合薄膜。对薄膜的光吸收谱进行分析,得到了纳米Ge晶粒的光学带隙。单光束Z-扫描的实验结果表明薄膜具有较强的可饱和吸收特性。将薄膜作为可饱和吸收体插入LD端面抽运的Nd:YVO4激光器内,分别实现1 342nm和1 064nm激光的被动调Q,得到脉宽分别为29ns和22ns的脉冲序列。理论分析认为,纳米Ge晶粒形成的界面态和缺陷态对1 342nm激光产生的饱和吸收作用,是导致被动调Q的主要原因。
- 林正怀张培王加贤
- 关键词：SIO2薄膜磁控溅射技术被动调Q
- 纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质。测试结果显示,在1 064nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收。把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06μm激光的被动调Q和被动锁模运转。与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲。最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理。
- 王加贤林正怀张培吴志军
- 关键词：被动调Q被动锁模
