黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12521z012)
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 相关作者：高红张伟光李铭杰温静李凯更多>>
- 相关机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金黑龙江省高等教育教学改革工程项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 单根ZnO纳米线的光敏及场效应管性质研究被引量：1
- 2014年
- 采用化学气相沉积法合成了ZnO纳米线,并对其进行了扫描电镜以及光致发光表征.基于ZnO纳米线,采用微栅模板法制备了光电器件及背栅场效应晶体管.利用半导体参数测试仪测量了ZnO纳米线的I-V特性、光响应特征及场效应管的输出特性等.实验表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光敏感度,预示了良好的光电探测应用前景及FET的应用可能性.
- 唐欣月张锷高红
- 关键词：ZNO纳米线光响应场效应管
- 光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响
- 2014年
- 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触。讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制。
- 王明姣高红温静唐欣月张锷
- 关键词：紫外光辐照肖特基接触欧姆接触
- 温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响
- 2012年
- 通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线,并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低,在p=10 Pa时,室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1×105Pa时,室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高,吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后,使得耗尽层厚度降低,纳米线内部可参与导电的电子数增多,此时温度对纳米线的影响作用才会很大,导致纳米线电阻率迅速降低.
- 王广宁郎颖姜威陈婷婷张伟光
- 关键词：I-V特性
- 低温下单根In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
- 2012年
- 采用化学气相沉积(CVD)的方法合成了In掺杂ZnO纳米带,并且用简单、廉价的微栅模板法为单根纳米带制作了微电极,研究了在室温到20 K低温范围内单根In掺杂ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明,在140～290 K区间单根ZnO∶In纳米带电子输运机制符合热激活输运机制.
- 李铭杰李江禄李凯
- 关键词：纳米带
- 基于梳状分等级结构ZnO纳米带的快速响应VOC气体传感器
- 2013年
- 通过化学气相沉积法(CVD)合成出梳状分等级结构的ZnO纳米带,使用场发射扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对材料组成和结构进行了分析。利用这种材料制备了厚膜型管式气敏元件,并采用静态配气测试系统进行了气敏性能测试。测试结果表明,工作温度大约为225℃时,这种结构的材料对有机挥发性气体(volatile organic compounds,VOC)具有极快的响应和恢复速度,响应时间为2s,恢复时间为3s。最后分析了材料结构对气敏性能的影响。
- 王广宁高红陈婷婷潘思明崔嘉珊孙鉴波
- 关键词：VOC气敏传感器ZNO纳米带
- 低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究被引量：2
- 2013年
- 用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1μm左右、长数十微米的ZnO纳米带.采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件,由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 M,电阻率约0.4·cm.研究了在20—280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化.结果表明:在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同,存在两种不同的输运机制.在130—280 K较高的温度范围内,单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制,随着温度继续降低(<130 K),近邻跳跃传导为主导输运机制.
- 李铭杰高红李江禄温静李凯张伟光
- 关键词：ZNO纳米带
