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中国博士后科学基金(20100481322)

作品数:5 被引量:7H指数:2
相关作者:王平郭立新杨银堂尚韬刘增基更多>>
相关机构:西安电子科技大学西北大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇大信号
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇电子结构
  • 1篇多进制
  • 1篇多进制相移键...
  • 1篇质谱
  • 1篇散射
  • 1篇散射机制
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇欧姆接触特性
  • 1篇平均误码率
  • 1篇子结构

机构

  • 4篇西安电子科技...
  • 1篇西北大学

作者

  • 4篇杨银堂
  • 4篇郭立新
  • 4篇王平
  • 3篇尚韬
  • 2篇刘增基
  • 1篇张志勇

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇计算物理
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Average bit error rate of multi-hop parallel decode-and-forward-based FSO cooperative system with the max–min criterion under the gamma–gamma distribution被引量:1
2015年
The average bit error rate(BER) performance of a free-space optical(FOS) system based on the multi-hop parallel decode-and-forward cooperative communication method with an M-ary phase shift keying subcarrier intensity modulation is studied systematically. With the max–min criterion as the best path selection scheme,the probability density function and the cumulative distribution function of the gamma–gamma distribution random variable signal-to-noise ratio are derived. The analytical BER expression is then obtained in terms of the Gauss–Laguerre quadrature rule. Monte Carlo simulation is also provided to confirm the validity of the presented average BER model.
曹天王平郭立新杨本圣李晶杨银堂
关键词:平均误码率FSO多进制相移键控
4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算
2011年
基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电阻的影响,栅偏置为0 V时,获得最大跨导约为48 mS.mm-1.计算结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算较为准确的优点,适于SiC器件以及电路研究使用.
王平杨银堂刘增基尚韬郭立新
关键词:碳化硅金属-半导体场效应晶体管电流-电压特性
SiC欧姆接触特性被引量:3
2011年
通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30 min)和(1000℃,N2,2 min).采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω.cm2和3.44×10-6Ω.cm2.二次离子质谱分析表明,高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性.
王平杨银堂郭立新尚韬刘增基
关键词:4H-SIC欧姆接触二次离子质谱
铝氮共掺杂氧化锌纳米管电子结构的第一性原理研究被引量:3
2013年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对(6,0)单壁氧化锌纳米管、铝掺杂、氮掺杂和铝氮共掺杂纳米管的能带结构、态密度和差分电荷密度进行了研究.结果表明,氮掺杂可以在纳米管禁带中引入受主能级,实现纳米管的p型掺杂,但是受主能级局域性较强,导致氮溶解度低.引入铝元素可以有效降低氮形成受主能级局域性,激活氮元素,铝氮共掺杂有望成为氧化锌纳米管一种更为有效的p型掺杂方法.
王平郭立新杨银堂张志勇
关键词:电子结构共掺杂第一性原理计算
不同种类散射机制对宽禁带碳化硅输运性质的影响
2011年
目的基于低场输运模型,对4H-和6H-碳化硅电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算。方法计算中采用了各向同性弛豫时间近似法,考虑了对其低场输运有着重要影响的声学波形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子形变势散射、电离杂质散射以及中性杂质散射。结果得到了不同散射机制对于碳化硅电子霍耳迁移率的影响。结论该研究表明:中性杂质散射在低温高掺杂时是控制电子霍耳迁移率变化的主导因素,而在高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射等散射机制控制。
王平杨银堂郭立新尚韬
关键词:碳化硅散射机制
共1页<1>
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