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磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金(MMM200811)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:彭应全李荣华李训栓王颖谢宏伟更多>>
相关机构:兰州大学更多>>
发文基金:磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇有机半导体
  • 1篇酞菁
  • 1篇酞菁铜
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇半导体
  • 1篇IV

机构

  • 1篇兰州大学

作者

  • 1篇宋长安
  • 1篇汪润生
  • 1篇马朝柱
  • 1篇谢宏伟
  • 1篇王颖
  • 1篇李训栓
  • 1篇李荣华
  • 1篇彭应全

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
基于肖特基接触IV分析法的有机半导体迁移率确定方法
2010年
载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件IV特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等。本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数。
谢宏伟李训栓王颖马朝柱汪润生李荣华宋长安彭应全
关键词:有机半导体迁移率酞菁铜
共1页<1>
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