磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金(MMM200827)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 低能Co离子注入单晶ZnO的光致发光特性被引量：1
- 2009年
- 采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理,退火温度为700℃,退火时间为10min,在其光致发光谱中观察到了406和370nm的紫光发射峰。对比了Co,Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱,观测到二者的光致发光谱类似。同时,研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响,结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移,分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关。
- 李天晶高行新李公平李玉红
- 关键词：CU离子注入ZNO光致发光
- Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究
- 2010年
- 用中子发生器上D-D反应的2.5MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶。室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱。结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(VO)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷。Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失。快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷。中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向。表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究。
- 王云波李公平李天晶高行新
- 关键词：ZNO单晶快中子辐照
