您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61235006)

作品数:13 被引量:17H指数:3
相关作者:蒋亚东许向东吴志明顾德恩于贺更多>>
相关机构:电子科技大学山东理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金创新研究群体科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程环境科学与工程更多>>

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 6篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 6篇氧化钒薄膜
  • 4篇二氧化钒
  • 3篇太赫兹
  • 3篇溅射
  • 3篇光谱
  • 3篇二氧化钒薄膜
  • 2篇氧化钒
  • 2篇智能窗
  • 2篇热色性
  • 2篇脉冲反应
  • 2篇赫兹
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电路
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇读出电路
  • 1篇形变
  • 1篇占空比
  • 1篇正交

机构

  • 9篇电子科技大学
  • 4篇山东理工大学

作者

  • 4篇蒋亚东
  • 3篇顾德恩
  • 3篇吴志明
  • 3篇许向东
  • 2篇董翔
  • 2篇于贺
  • 1篇何琼
  • 1篇马春前
  • 1篇孙自强
  • 1篇苟君
  • 1篇高超
  • 1篇温粤江
  • 1篇龙吟
  • 1篇郑兴
  • 1篇黎威志
  • 1篇刘子骥
  • 1篇吕坚
  • 1篇杜晓松
  • 1篇周云
  • 1篇崔进

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇材料导报
  • 2篇半导体光电
  • 2篇Chines...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇分析试验室
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇Acta M...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Modeling for V–O_2 reactive sputtering process using a pulsed power supply
2014年
In this article, we present a time-dependent model that enables us to describe the dynamic behavior of pulsed DC reactive sputtering and predict the film compositions of VOx prepared by this process. In this modeling, the average current J is replaced by a new parameter of Jeff. Meanwhile, the four species states of V, V2O3, VO2, and V2O5 in the vanadium oxide films are taken into consideration. Based on this work, the influences of the oxygen gas supply and the pulsed power parameters including the duty cycle and frequency on film compositions are discussed. The model suggests that the time to reach process equilibrium may vary substantially depending on these parameters. It is also indicated that the compositions of VOx films are quite sensitive to both the reactive gas supply and the duty cycle when the power supply works in pulse mode. The ‘steady-state' balance values obtained by these simulations show excellent agreement with the experimental data, which indicates that the experimentally obtained dynamic behavior of the film composition can be explained by this time-dependent modeling for pulsed DC reactive sputtering process. Moreover, the computer simulation results indicate that the curves will essentially yield oscillations around the average value of the film compositions with lower pulse frequency.
王涛于贺董翔蒋亚东陈超胡锐麟
关键词:脉冲电源脉冲频率氧化钒
二氧化钒薄膜的反常热色性能和热滞回线
2021年
利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同厚度的二氧化钒(VO2)薄膜。实验结果表明,所制备的VO2薄膜都具有显著的热色性能。厚度较大的薄膜在低温时具有较高的透过率,而在高温时具有较低的透过率。然而,厚度较小的薄膜在500~860 nm波长内的情况正好相反,即低温透过率比高温时的小。厚度较小的薄膜在500~860 nm波长内具有沿逆时针方向的热滞回线,这恰好与波长大于860 nm的情况相反。利用光学干涉理论对这一反常的热色现象及热滞回线进行了理论解释,为进一步理解VO2薄膜的热色性能及相变性能提供参考。
张化福景强孙艳
关键词:磁控溅射
有机官能团的太赫兹光谱特征研究被引量:3
2015年
采用傅里叶远红外光谱仪(FTIR),在室温条件下测量了多种饱和直链有机小分子的太赫兹光谱。测试结果显示,有机官能团的差异导致有机物的太赫兹光谱特征显著不同。其中,有机物的晶格振动吸收峰和分子间氢键的振动吸收峰分别位于太赫兹高频和低频波段。而且,饱和直链一元醇的—OH官能团产生的分子间氢键的特征峰位于57cm-1,而三十烷酸的—COOH官能团产生的分子间氢键的特征峰则位于74cm-1。分子间氢键使三十烷醇和三十烷酸对太赫兹辐射的吸收能力明显地强于三十烷烃。相比于三十烷醇,三十烷酸的太赫兹特征峰还发生有规律的红移和蓝移现象。此外,还采用密度泛函理论B3LYP/6-311G(d,p)基组对饱和直链烷烃、烷醇和烷酸的太赫兹光谱进行了仿真计算,发现分子间氢键作用越强的有机物的单体分子的仿真结果与实测光谱的吻合程度越低。二聚体结构的仿真结果与实测光谱的吻合程度明显地高于单分子结构。研究结果对利用FTIR研究其他有机官能团的太赫兹光谱特征、探索有机分子内部的振动模式、探究有机物太赫兹响应的物理原理及器件应用等具有重要意义。
马春前许向东邹蕊矫刘一客何琼蒋亚东黄锐温粤江孙自强
关键词:太赫兹光谱仿真
脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究被引量:1
2015年
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293~368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制.
董翔吴志明许向东于贺顾德恩蒋亚东
关键词:氧化钒电学性质VOX
基于DOE策略的多层薄膜残余应力对太赫兹微桥形变的影响被引量:1
2016年
桥面多层膜系残余应力匹配是消除太赫兹微测辐射热计微桥结构形变的重要手段.仿真建立了像元尺寸为35μm×35μm微桥单元有限元模型.基于实验设计(DOE)正交法,采用IntelliSuite软件进行应力仿真,获得支撑层、钝化层、电极层、热敏层、吸收层应力分别为+200 Mpa、+200 Mpa、+200 Mpa、0 Mpa、-400 Mpa的最佳应力组合,最小微桥单元形变(0.0385μm).通过各膜层残余应力控制,制备出基于该优化微桥单元结构的320×240太赫兹焦平面阵列,获得与仿真结果相符的极小形变微桥.
郑兴刘子骥顾德恩苟君马家锋黎威志吴志明
关键词:残余应力正交实验设计
太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展被引量:5
2019年
在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会发生急剧的变化。更为重要的是,除了加热之外,其他激励方式,如光照、电场、太赫兹场等也能使二氧化钒薄膜发生相变。这一独特、优异的半导体-金属相变性能使得二氧化钒薄膜在太赫兹开关、调制器等领域具有巨大的应用前景。因此,二氧化钒薄膜已成为太赫兹材料与功能器件方面的一个研究热点。研究工作主要集中在二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能及在太赫兹器件领域的应用三个方面。探究制备高质量二氧化钒薄膜的方法是其获得优异的相变性能及应用的前提条件。在太赫兹波段,二氧化钒薄膜的常用制备方法有脉冲激光沉积法、磁控溅射法及溶胶-凝胶法。脉冲激光沉积法是最早用来研究太赫兹波段二氧化钒薄膜相变性能的薄膜制备方法,该法制备的薄膜质量高、相变性能好。磁控溅射法制备二氧化钒薄膜时,主要采用在氩气/氧气混合气氛下溅射金属钒靶的反应磁控溅射法。然而,利用反应溅射法时,二氧化钒薄膜的成膜条件范围很窄(尤其是氧流量比),不利于薄膜结构及性能的优化。为此,研究者们探索利用二氧化钒陶瓷材料作为溅射靶材来制备二氧化钒薄膜。尽管脉冲激光沉积法和溅射法被广泛应用于制备二氧化钒薄膜,但所需设备复杂且成本高。相比之下,溶胶-凝胶法设备简单、成本低且易于实现掺杂和成分控制,但薄膜附着性差。二氧化钒薄膜的相变性能研究主要包括不同的相变激励方式及相变性能的优化提高两个方面。二氧化钒薄膜的热致相变简单易控,但响应时间长;而光致及电致相变响应快,但实现相变的条件要求高,且调制幅度较小。二氧化钒薄膜相变性能的提高一直颇受关注,优化工
张化福沙浩吴志明蒋亚东王操孙艳景强
关键词:太赫兹波二氧化钒薄膜脉冲激光沉积法溅射法溶胶-凝胶法
Preparation and Characterization of LiTaO_3 Films Derived by an Improved Sol-Gel Process被引量:1
2013年
In this paper, an improved sol-gel method was suggested to obtain high-concentration LiTaO3 precursor solution for simplified experimental conditions and thicker films, by mixing lithium acetate and tantalum ethoxide in a 1, 2-Propylene glycol solution. Compared to traditional methods, the process was done without weak acidic solution and absolute dry experimental condition. Results of a comparative study of LiTaO3 thin films derived by the improved sol-gel process and a traditional process using 2-methoxy ethanol as solvent were presented. Nano-crystalline LiTaO3 films with rhombohedral structures were formed in both methods after annealing at 650 for 5 min. The thickness of each LiTaO3 layer coated onto the substrate increased from 25 nm to 110 nm when 2-methoxy ethanol was replaced by 1, 2-Propylene glycol. LiTaO3 films with a stronger preferential orientation were obtained in 1, 2-Propylene glycol due to its higher boiling point and slower volatilization rate. On the other hand, the diffraction peak intensity of LiTaO3 thin films prepared using 1, 2-Propylene glycol was weaker than that of the films prepared using 2-methoxy ethanol due to decreased times of annealing.
Jun GOUJun WANGMing YANGZehua HUANGWeizhi LIYadong JIANG
关键词:LITAO3THINSOL-GELCRYSTALLIZATION
一种具有衬底温度补偿功能的非制冷红外读出电路被引量:2
2013年
针对非制冷红外探测器系统,设计了一种无需衬底温度稳定器——热电制冷器(TEC)的读出电路(ROIC)结构.首先分析了衬底温度对微测辐射热计的特性的影响,利用ROIC对衬底温度变化引起的微测辐射热计的特性的变化进行补偿,实现ROIC的输出信号与衬底无关.该ROIC已在0.5μm CMOS工艺下成功流片,并应用了到阵列大小为320×240的非制冷微测辐射热计焦平面上.测试结果表明:在衬底温度变化20 K时,ROIC输出信号仅变化2 mV,实现了去除TEC后衬底温度补偿的功能,有效地降低了系统功耗.该ROIC在低功耗,小体积的非制冷红外探测器上有着广泛的应用.
周云吕坚廖宝斌蒋亚东
关键词:非制冷微测辐射热计
Modeling the reactive sputter deposition of Ti-doped VO_x thin films
2015年
In this paper an original numerical model,based on the standard Berg model,is used to simulate the growth mechanism of Ti-doped VOx deposited with changing oxygen flow during reactive sputtering deposition.Ti-doped VOx thin films are deposited using a V target with Ti inserts.The effects of titanium inserts on the discharge voltage,deposition rate,and the ratio of V/Ti are investigated.By doping titanium in the vanadium target,the average sputtering yield decreases.In this case,the sputter erosion reduces,which is accompanied by a reduction in the deposition rate.The ratio between V content and Ti content in the film is measured using energy-dispersive x-ray spectroscopy(EDX).A decrease in the vanadium concentration with the increasing of the oxygen flow rate is detected using EDX.Results show a reasonable agreement between numerical and experimental data.
王涛于贺顾德恩郭睿董翔蒋亚东胡锐麟
关键词:氧化钒薄膜沉积速率X射线光谱
毛细管气相色谱法测定含硫恶臭气体混合物被引量:3
2015年
采用Rt-silica Bond Plot毛细管色谱柱(硅胶键合极性基团固定相)的GC-FPD色谱系统,检测了环境中的含硫恶臭气体甲硫醇、甲硫醚、乙硫醇、二硫化碳和二甲二硫的混合气体。实验研究了气相色谱柱进样口压力和升温方式对分离效果的影响,在最佳分离条件下对5种气体的混合样进行了重复性测试,并利用自制的Tenax管式富集器分析5种气体的检出限。方法的最佳进样口压力为48.26 k Pa和最佳升温方式为初始温度160℃,以30℃/min升至220℃,可以实现混合气体的完全分离,分离时间3.850 min,组分间最小分离度2.525,最佳条件下具有很好的重复性,保留时间和组分分离度的相对标准偏差均小于1%,峰面积相对标准偏差最大为5.0%,5种气体的检出限依次为45,37,21,30和22μg/m3。
赵栩澜杜晓松高超龙吟崔进吴朋林
关键词:恶臭气体分离度
共2页<12>
聚类工具0