吉林省科技发展计划基金(20100351)
- 作品数：3 被引量：17H指数：2
- 相关作者：梁静秋王维彪梁中翥尹悦秦余欣更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 电极结构对AlGaInP-LED阵列电流分布的影响被引量：4
- 2011年
- 以AlGaInP-LED外延片为基片,设计了分辨率为320×240、像素尺寸为100μm×100μm的微型LED阵列。针对目前LED阵列普遍存在的电流分布不均匀的问题,建立了内部电流分布模型,研究了电极结构、电极尺寸及电极间距等不同因素对LED电流分布造成的影响。在单条形电极结构的基础上进行优化,综合考虑不透明电极的遮光效应等因素得到三条形电极结构为最优的电极结构,该电极结构的LED有源层均匀发光面积比未经优化的单条形电极提高了65.02%,比双条形电极提高25.63%,有效提高了微型LED阵列的出光效率,对改善LED芯片发光均匀性具有参考意义。
- 尹悦梁静秋梁中翥王维彪
- 关键词：电极结构电流分布
- 微显示器件的研究进展被引量：11
- 2010年
- 微小显示和虚拟显示研究得比较多的显示器件有微CRT、LCD、OLED、微LED、LCOS、MEMS等,由于原理不同,每一种微显示器工作的场合和环境也不同,各种器件各有用武之地。LED型微显示器件作为一种全固体的主动发光器件,拥有许多优点:工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等。在同一芯片上集成LED阵列技术可以很好地满足应用需求。
- 梁静秋
- 关键词：微显示器件CRTLCDOLEDLCOSMEMS
- AlGaInP DH-LED的pn结特性被引量：2
- 2013年
- 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。
- 高丹梁静秋梁中翥田超秦余欣秦余欣
- 关键词：ALGAINP电压电流特性PN结
