国家自然科学基金(60106003)
- 作品数：9 被引量：68H指数：6
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- 相关机构：华中科技大学中国科学技术大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 相变型VO_2薄膜的制备及其特性的研究被引量：9
- 2005年
- 利用反应离子束溅射和后退火工艺制备一种新的相变型VO2薄膜,对该薄膜进行电学测试、XRD和光学透过率的测试。这种工艺制备出的相变型VO2薄膜相变温度更接近室温,XRD显示这种薄膜中有VO2、V2O5成分的存在。对这种薄膜的光学透过率测试表明,低温下薄膜的透过率是高温下薄膜透过率的近5倍。通过实验可以看出,氧气分压、退火温度、退火时间是影响制备新型相变型VO2薄膜的重要因素。
- 周少波王双保陈四海易新建
- 关键词：VO2相变特性
- 具有低噪读出特性的VO_2非致冷焦平面读出电路被引量：6
- 2006年
- 介绍了一种针对二氧化钒敏感材料的CMOS读出电路(RO IC).该电路结构简单,适合大规模焦平面阵列,并具有良好的低噪特性,可以有效地降低焦平面衬底温度波动影响和抑制一些低频噪声.该读出电路已成功地应用于32×32元微测辐射热计焦平面阵列原型.
- 陈西曲易新建王强
- 关键词：非致冷红外焦平面二氧化钒读出电路
- 反应离子束溅射沉积和还原退火工艺制备VO_x多晶薄膜被引量：2
- 2004年
- 通过反应离子溅射沉积和后退火工艺制备出优质微测辐射热计用的氧化钒薄膜。对薄膜退火前后进行了扫描电子显微镜分析,结果表明,制备的VOx多晶薄膜致密均匀,退火后晶粒尺寸变大。电学测试表明,在室温时薄膜的方块电阻约为50kΩ,电阻温度系数为-0.022/K,满足制作高性能微测辐射热计的要求。
- 周少波王双保陈四海易新建
- 关键词：氧化钒薄膜微测辐射热计
- 氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究被引量：16
- 2003年
- 采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。
- 王宏臣易新建陈四海黄光李雄伟
- 关键词：氧化钒薄膜光电特性微光开关
- 光电子能谱在钒酸钇晶体生长中的应用
- 2003年
- 应用光电子能谱分析了钒酸钇 (YVO4)多晶料与单晶之间的关系 ,成功生长出低缺陷的YVO4晶体 ,并对晶体进行检测 .由检测结果得出 ,YVO4晶体的小角晶界 ,散射中心等缺陷与多晶料的Y ,V质量比有密切的关系 ,晶体的外形变形。
- 夏峥嵘杨坤涛陈四海
- 关键词：晶体生长光电子能谱钒酸钇晶体双折射晶体散射中心
- 一种制备氧化钒薄膜的新工艺被引量：13
- 2003年
- 采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。
- 王宏臣易新建黄光肖静陈四海
- 关键词：红外探测器氧化钒薄膜
- 非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备被引量：14
- 2004年
- 采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在Si(110 )和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混合相氧化钒多晶薄膜 .扫描电子显微镜 (SEM)照片显示 :薄膜表面呈针状晶粒状 ,而且薄膜表面光滑、致密 ,均匀性好 .测试结果表明 :氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数 (TCR)在 2 0℃分别为 5 0KΩ和 - 0 .0 2 1K-1.
- 王宏臣易新建陈四海黄光李雄伟
- 关键词：非致冷红外探测器电阻温度系数半导体材料
- 新型VO_2相变薄膜的制备被引量：6
- 2004年
- 采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。此种薄膜的方块电阻为120～148kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温。SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀。样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级。XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜。
- 周少波王双保陈四海易新建熊韬
- 关键词：VO2薄膜相变离子束溅射
- 128元非致冷氧化钒红外探测器的制作被引量：14
- 2004年
- 采用新工艺在氮化硅衬底上制备了室温时电阻温度系数为 - 0 .0 2 1K-1的氧化钒薄膜 ,以此为基础 ,利用光刻和反应离子刻蚀工艺在硅衬底上制作了 12 8元氧化钒红外探测器 .为了降低探测器敏感元与衬底间的热导 ,设计制作了自支撑的微桥结构阵列 .测试结果显示探测器的响应率和探测率在 8～ 12 μm的长波红外波段处分别达到10 4V/W和 2× 10 8cmHz1/ 2 W-1.
- 王宏臣易新建陈四海黄光肖静
- 关键词：红外探测器微桥结构氧化钒薄膜电阻温度系数
