您的位置： 专家智库 > >

国家基础科研基金资助项目(A0626270)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：师谦刘洁恩云飞何玉娟罗宏伟更多>>
相关机构：电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家基础科研基金资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇FET
  • 1篇新结构

机构

  • 1篇电子元器件可...

作者

  • 1篇罗宏伟
  • 1篇何玉娟
  • 1篇恩云飞
  • 1篇刘洁
  • 1篇师谦

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构被引量：9
2008年
SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向。并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性。
何玉娟刘洁恩云飞罗宏伟师谦
关键词：SOI总剂量效应
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0