江西省教育厅科学技术研究项目(DB200501107)
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 相关作者：李禾蔡莉王应民杜楠程国安更多>>
- 相关机构：北京师范大学南昌航空工业学院南开大学更多>>
- 发文基金：江西省材料科学与工程研究中心基金江西省教育厅科学技术研究项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- 硅基ZnO薄膜组织形貌的研究
- 2007年
- 本文采用自行设计PECVD的设备生长ZnO薄膜,以在等离子体作用下的CO2/H2作为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为400℃、450℃。使用原子力显微镜和带能谱的环境扫描电镜分析这两个ZnO薄膜样品的表面和断面组织形貌。实验结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。在衬底温度为450℃时生长薄膜样品,晶粒之间存在有规律的聚集,主要按六方环结构排布,比在衬底温度为400℃生长的薄膜的晶粒之间的聚集更有规律,这与XRD测试结果相吻合;薄膜的断面组织形貌图也进一步证实了在衬底温度为450℃时生长的ZnO薄膜,C轴高度择优取向。从薄膜的断面组织形貌图还可以看到,薄膜与单晶硅衬底之间界面几乎是一条直线,样品经过高温退火处理,薄膜未出现裂纹或卷起,说明薄膜与单晶硅之间存在一定的化学键合。
- 蔡莉熊波王应民李禾
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜ESEMXRD
- 三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究
- 太阳薄膜电池 ZnS 缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备．实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合剂三元体系制备的 ZnS 薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的 ZnS ...
- 王应民孙云蔡莉杜楠孙国忠李禾
- 关键词：ZNS薄膜透射光谱柠檬酸
- 文献传递
- PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究被引量：2
- 2007年
- 使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致。再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降。
- 王应民杜楠蔡莉李禾程国安
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜等离子增强化学气相沉积反射光谱
- 化学水浴法制备ZnS薄膜光学性能被引量：1
- 2007年
- 利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度。实验结果表明,在线性生长阶段,薄膜的沉积速率大约为1 nm/min,具有很好的线性关系,沉积0.5 h的ZnS薄膜在可见光范围内光透过率为82%左右。
- 王应民杜楠孙云张萌蔡莉李禾程国安徐飞
- 关键词：ZNS薄膜消光系数禁带宽度
- PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响被引量：2
- 2007年
- 报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。
- 王应民孙云杜楠蔡莉李禾程国安
- 关键词：SI(111)ZNO薄膜等离子体增强化学气相沉积X射线衍射仪原子力显微镜
- 三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究
- 2007年
- 太阳薄膜电池ZnS缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备。实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合荆三元体系制备的ZnS薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的ZnS薄膜好。薄膜表面更加光亮、平整，光透过率能得到明显提高。从实验现象和测试结果来看，随柠檬酸浓度增加，在反应溶液中无定形态白色沉淀明显减少，ZnS薄膜结晶性能也得到明显提高，ZnS薄膜光透过率升高。柠檬酸浓度为0．15mol／L时，薄膜光透过率达到85％左右，完全满足太阳能电池的要求；继续增加柠檬酸的量，薄膜光透过率趋于一致，光透过率略有回落。
- 王应民孙云蔡莉杜楠孙国忠李禾
- 关键词：ZNS薄膜透射光谱柠檬酸
