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中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2011J029)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：戴丽萍钟志亲王姝娅葛微微张国俊更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇结终端
  • 1篇功率器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体功率器...
  • 1篇BST
  • 1篇场限环

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇张国俊
  • 1篇葛微微
  • 1篇王姝娅
  • 1篇钟志亲
  • 1篇戴丽萍

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究被引量：4
2012年
通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。
葛微微张国俊钟志亲王姝娅戴丽萍
关键词：半导体功率器件结终端场限环
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